[发明专利]一种全背面接触晶硅电池及其制备方法

权利要求书

1.一种全背面接触晶硅电池，包括硅片基底、减反层、基极、发射极和金属栅线，其特征在于，所述全背面接触晶硅电池的发射极和基极不在同一个平面上。

2.根据权利要求1所述的全背面接触晶硅电池，其特征在于所述全背面接触晶硅电池的正面和背面均有钝化层。

3.根据权利要求2所述的全背面接触晶硅电池，其特征在于所述全背面接触晶硅电池的正面和/或背面的钝化层为氧化层。

4.根据权利要求2所述的全背面接触晶硅电池，其特征在于所述全背面接触晶硅电池的正面还包括正表面电场FSF，所述正表面电场FSF为浅掺杂型。

5.根据权利要求1所述的全背面接触晶硅电池，其特征在于所述发射极和金属栅线位于电池的背面。

6.根据权利要求1所述的全背面接触晶硅电池的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)在硅片基底的正面通过碱制绒的方法去除损伤层，形成随机金字塔结构，并对硅片基底的背面进行抛光处理；

2)在硅片基底的正面通过离子注入形成无图形的浅掺杂区，即正表面电场FSF，在硅片基底的背面通过离子注入方法形成无图形的掺杂区，即发射极，并退火处理去除离子注入中的损伤；

3)在背面通过湿法刻蚀或者激光开槽的方式形成图形化的凹槽区；

4)在凹槽区通过有遮蔽装置的离子注入的方法形成基极区，并在氧气或惰性气氛下退火处理去除离子注入中的损伤；

5)在硅片基底的正面制备减反层；

6)通过激光或者湿法腐蚀对发射极、凹槽中的基极进行开口；

7)在硅片基底的背面开口区域通过丝网印刷或者电镀方法形成金属连接，并通过退火烧结形成欧姆接触的金属栅线。

7.根据权利要求6所述的全背面接触晶硅电池的制备方法，其特征在于步骤1）中所述的碱制绒中化学药液采用KOH、NaOH或IPA碱性溶剂中的一种或几种，处理温度小于100℃；所述的背面抛光处理采用湿法化学或者机械方式，去除厚度小于50μm。

8.根据权利要求6所述的全背面接触晶硅电池的制备方法，其特征在于步骤2）中所述的硅片基底为n型，在硅片基底的正面通过离子注入磷和/或砷形成n+型正表面电场。

9.根据权利要求6所述的全背面接触晶硅电池的制备方法，其特征在于步骤2）中所述的发射极为P+型，在硅片基底的背面通过离子注入硼和/或镓。

10.根据权利要求6所述的全背面接触晶硅电池的制备方法，其特征在于步骤5）中在所述硅片基底增加制备正面和背面钝化层。

11.根据权利要求10所述的全背面接触晶硅电池的制备方法，其特征在于所述的钝化层为SiOx、SiOxNy、AlOx、TiOx或SiNx中的一种或几种。

12.根据权利要求10所述的全背面接触晶硅电池的制备方法，其特征在于步骤5）中所述减反层和/或钝化层的制备采用等离子增强气相沉积PECVD、原子层沉积ALD、常压化学气相沉积APCVD或物理溅射沉积PVD方法。