[发明专利]一种用于等离子体处理腔室的射频能量控制方法

权利要求书

1.一种用于等离子体处理腔室的射频能量控制方法，用于对放置在等离子体处理腔室中的晶片进行加工处理，所述等离子体处理腔室包括一上电极和一下电极，所述下电极连接一源射频功率源以及一偏置射频功率源，共同作用于所述等离子体处理腔室内以产生一射频电场，所述源射频功率源通过电感耦合的方式电离反应气体以产生等离子体，所述偏置射频功率源用于控制等离子体对代加工件进行物理溅射轰击，所述方法包括如下步骤：

向所述等离子体处理腔室内通入反应气体；

控制所述上电极和所述下电极对反应气体进行电离，产生等离子体；

其特征在于，所述源射频功率源的功率以及所述偏置射频功率源的功率中的至少一个大于零，所述射频电场在多个功率之间周期性交替变化，且所述射频电场的功率始终大于零。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源射频功率源以一恒定功率电平持续运行，所述偏置射频功率源的功率在第一功率电平与第二功率电平之间交替变化，其中，所述第二功率电平大于所述第一功率电平，所述第一功率电平大于0。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述偏置射频功率源的脉冲信号呈方波变化，所述方波的频率为100Hz～20kHz，所述方波的占空比范围为10％～90％。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源射频功率源在第三功率电平与第四功率电平之间交替变化，所述偏置射频功率源在第一功率电平与第二功率电平之间交替变化，其中，所述第三功率电平大于0，其中，所述第二功率电平大于所述第一功率电平，所述第四功率电平大于所述第三功率电平。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一功率电平等于0。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一功率电平大于0。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述源射频功率源以及所述偏置射频功率源的脉冲信号均呈方波变化，所述源射频功率源的脉冲信号形成的方波与所述偏置射频功率源的脉冲信号形成的方波频率相等、均为100Hz～20kHz，且占空比范围均为10％～90％。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述源射频功率源的脉冲信号形成的方波的占空比等于所述偏置射频功率源的脉冲信号形成的方波的占空比。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述源射频功率源的脉冲信号形成的方波与所述偏置射频功率源的脉冲信号形成的方波为同相。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述源射频功率源的脉冲信号形成的方波与所述偏置射频功率源的脉冲信号形成的方波为反相。

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述源射频功率源的脉冲信号形成的方波的占空比大于或小于所述偏置射频功率源的脉冲信号形成的方波的占空比。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述源射频功率源的脉冲信号形成的方波与所述偏置射频功率源的脉冲信号形成的方波为同相。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述源射频功率源的脉冲信号形成的方波与所述偏置射频功率源的脉冲信号形成的方波之间具有一相位差。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述源射频功率源的脉冲信号形成的方波的下降沿与所述偏置射频功率源的脉冲信号形成的方波的下降沿对齐。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述源射频功率源的脉冲信号形成的方波的下降沿与所述偏置射频功率源的脉冲信号形成的方波的上升沿对齐。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述源射频功率源的脉冲信号形成的方波的上升沿与所述偏置射频功率源的脉冲信号形成的方波的下降沿对齐。

17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述偏置射频功率源的脉冲信号形成的方波的上升沿以及其相邻的下降沿位于所述源射频功率源的脉冲信号形成的方波的上升沿以及其相邻的下降沿之间。