[发明专利]超辐射发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：

步骤一，采用外延生长技术，在衬底上依次形成缓冲层、下限制层、有源区、上限制层和第一p型包覆层，构成一次外延片；

步骤二，继续采用外延生长技术，在一次外延片表面依次生长出第二p型包覆层和n型包覆层，构成二次外延片；

步骤三，继续采用外延生长技术，在二次外延片表面继续生成覆盖层和接触层，构成三次外延片；

步骤四，依次采用光刻、刻蚀、磨片和溅射工艺将三次外延片制作成超辐射发光二极管芯片，并对所述芯片的出光端面镀增透膜。

2.根据权利要求1所述的一种超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于，在步骤一和步骤二之间，采用等离子体增强化学气相沉积法，在所述第一p型包覆层表面生长出掩膜层；

采用光刻及刻蚀技术，在所述掩膜层上制作掩膜图形，形成吸收区，隔离区、直波导区和倾斜条形波导区并采用反应离子刻蚀技术及化学腐蚀方法对一次外延片进行蚀刻，蚀刻深度为1500纳米。

3.根据权利要求2所述的一种超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于，在步骤二完成后，去除掩膜层。

4.一种超辐射发光二极管，包括有衬底，其特征在于，在衬底上依次设置有缓冲层、下限制层、有源区、上限制层、包覆层、覆盖层和接触层，所述超辐射发光二极管的两端分别为背光端和出光端，所述背光端设置有吸收区， 所述出光面设置有弯曲波导结构。

5.根据权利要求4所述的一种超辐射发光二极管，其特征在于，所述有源区为应变多量子阱层，所述应变多量子阱层包含五层量子阱和六层垒层，所述量子阱为张应变量子阱，应变范围为-0.1%至-0.6%，每层厚度为10纳米，所述垒层无应变，每层厚度为10纳米。

6.根据权利要求4所述的一种超辐射发光二极管，其特征在于，

所述衬底为N型磷化铟InP衬底；

所述缓冲层为铟磷InP缓冲层，厚度为500纳米；

所述下限制层为铟镓砷磷InGaAsP下限制层，厚度为100纳米；

所述上限制层为InGaAsP上限制层，厚度为100纳米；

所述覆盖层为p型InP覆盖层，厚度为1500纳米；

所述接触层为InGaAs欧姆接触层，厚度为200纳米；

所述吸收区为矩形，长度为50至300微米，所述宽度为1.2至250微米。

7.根据权利要求4所述的一种超辐射发光二极管，其特征在于，所述包覆层包括有依次设置的第一p型包覆层、第二p型包覆层、n型包覆层。

8.根据权利要求7所述的一种超辐射发光二极管，其特征在于，

所述第一p型包覆层为p型磷化铟InP层，厚度为250纳米；

所述第二p型包覆层也为p型InP层，厚度为700纳米；

所述n型包覆层为n型InP层，厚度为800纳米。

9.根据权利要求4所述的一种超辐射发光二极管，其特征在于，弯曲波导结构由直波导区、弯曲波导区和倾斜条形波导区依次组成。

10.根据权利要求9所述的一种超辐射发光二极管，其特征在于，所述直波导区长度为50~500微米，弯曲波导区长度为50~200微米，倾斜条形波导区与出光端面的夹角为80~85度。