[发明专利]提高碳纳米管膜异向性的方法

权利要求书

1.一种提高碳纳米管膜异向性的方法，该方法包括以下步骤：

提供一基底；

在该基底表面设置一碳纳米管膜，该碳纳米管膜中大多数碳纳米管沿着同一方向延伸排列从而形成多个基本平行设置的碳纳米管线，且该该碳纳米管膜中的少数碳纳米管分散在该碳纳米管膜表面，并与该多个碳纳米管线搭接设置；以及

采用等离子体处理该碳纳米管膜的表面。

2.如权利要求1所述的提高碳纳米管膜异向性的方法，其特征在于，所述基底的材料为玻璃、陶瓷、石英、金刚石、聚合物、半导体、氧化硅、金属氧化物或木质材料。

3.如权利要求1所述的提高碳纳米管膜异向性的方法，其特征在于，所述碳纳米管膜是从一碳纳米管阵列中拉取获得，且所述该碳纳米管膜为由若干碳纳米管紧密结合组成的纯结构。

4.如权利要求1所述的提高碳纳米管膜异向性的方法，其特征在于，所述碳纳米管线中在该碳纳米管线的长度方向相邻的碳纳米管首尾相连。

5.如权利要求1所述的提高碳纳米管膜异向性的方法，其特征在于，所述采用等离子体处理该碳纳米管膜的表面的具体方法为通过一等离子体表面处理仪向该碳纳米管膜的整个表面提供一个等离子体能量，所述等离子体表面处理仪的功率为50瓦~1000瓦，所述等离子体气体为氩气、氦气、氢气、氧气、四氟化碳、氨气、或空气，所述等离子体的流量为5sccm~100sccm，所述等离子体的工作气压为40mTorr~150mTorr，所述等离子体的处理时间为30秒~150秒。

6.如权利要求1所述的提高碳纳米管膜异向性的方法，其特征在于，进一步，在该碳纳米管膜表面设置一掩膜，从而使得该碳纳米管膜的部分表面暴露，该等离子体仅处理该碳纳米管膜暴露的表面。

7.如权利要求6所述的提高碳纳米管膜异向性的方法，其特征在于，所述掩膜具有多个平行且间隔设置的条形开口，且该条形开口的延伸方向与所述多个碳纳米管线的延伸方向相同。

8.如权利要求6所述的提高碳纳米管膜异向性的方法，其特征在于，所述掩膜与该碳纳米管膜间隔设置。

9.如权利要求1所述的提高碳纳米管膜异向性的方法，其特征在于，所述采用等离子体处理该碳纳米管膜的表面的步骤为利用高频率高电压在该碳纳米管膜表面进行电晕放电。

10.如权利要求9所述的提高碳纳米管膜异向性的方法，其特征在于，所述碳纳米管膜作为高频率高电压电晕放电的电极。

11.一种提高碳纳米管膜异向性的方法，该方法包括以下步骤：

从一碳纳米管阵列中拉取一碳纳米管膜；以及

向该碳纳米管膜的表面提供一个等离子体能量，对该碳纳米管膜的表面进行处理以提高该碳纳米管膜的导电异向性。

12.如权利要求11所述的提高碳纳米管膜异向性的方法，其特征在于，经过等离子体处理后，该碳纳米管膜的导电异向性提升至原来的至少5倍。