[发明专利]用于刻纳米银导电材料的装置及其方法

权利要求书

1.用于刻纳米银导电材料的装置，其特征在于：包含有激光器（1）、光闸（2）、1/2波片（3）、格兰棱镜（4）、扩束镜（5）、全反镜片（6）、振镜系统（7）和远心场镜（8），所述激光器（1）的输出端布置有光闸（2），光闸（2）的输出端设置有1/2波片（3），1/2波片（3）的输出端布置有格兰棱镜（4），格兰棱镜（4）的输出端依次布置有扩束镜（5）和全反镜片（6），全反镜片（6）的输出端依次布置有振镜系统（7）和远心场镜（8），在振镜系统（7）上安装有高度测量仪（16），远心场镜（8）的输出端正对于真空吸附平台（13），所述真空吸附平台（13）的上方布置有对位观察系统（9），所述真空吸附平台（13）的一侧布置有吹气系统（11），另一侧安装有集尘系统（10）；所述激光器（1）、振镜系统（7）和高度测量仪（16）均通过通讯系统（15）与工控机（14）相连。

2.根据权利要求1所述的用于刻纳米银导电材料的装置，其特征在于：所述激光器（1）是波长为195nm～1064nm、脉宽在1ps～500ns、频率在1KHz～1000KHz、M²<2.5的激光器。

3.根据权利要求1所述的用于刻纳米银导电材料的装置，其特征在于：所述高度测量仪（16）为非接触式高度测量仪。

4.根据权利要求1所述的用于刻纳米银导电材料的装置，其特征在于：所述扩束镜（5）为2X～20X的扩束镜。

5.根据权利要求1所述的用于刻纳米银导电材料的装置，其特征在于：所述远心场镜（8）是规格为F30~F250的远心场镜。

6.权利要求1所述装置用于刻纳米银导电材料的方法，其特征在于包含以下步骤：

1）激光器（1）发出的激光依次经光闸（2）、1/2波片（3）和格兰棱镜（4）后射入扩束镜（5）对光束进行同轴扩束，经扩束镜（5）扩束准直后的激光到达全反镜片（6），经全反镜片（6）反射后的激光射入振镜系统（7），射出振镜系统（7）的激光经远心场镜（8）后聚焦到被吸附于真空吸附平台（13）上的待加工件（12）上，使聚焦光斑在5um～20um；

2）作为待加工件（12）的纳米银导电材料吸附于真空吸附平台（13）上，通过高度测量仪（16）进行实时测量，将测量数据反馈给工控机（14），工控机（14）对数据进行处理从而调整焦距，保证焦点始终聚焦在纳米银导电材料表面的导电膜上；

3）进行CCD定位；利用具有CCD自动抓靶功能的对位观察系统（9）对蚀刻图形进行定位，随后开始激光刻蚀；

4）激光按照设计图形进行蚀刻时，同时打开设置于作为待加工件（12）的纳米银导电材料的导电膜的上方两侧的吹气系统（11）和集尘系统（10），蚀刻产生的粉尘全部吸入集尘系统（10）中。