[发明专利]一种利用双光束干涉辅助湿法腐蚀实现发光二极管表面图形制备的方法

权利要求书

1.一种利用双光束干涉辅助湿法腐蚀实现发光二极管表面图形制备的方法，其特征在于，该方法为：

利用激光干涉光路照射在发光二极管外延片待腐蚀表面：通过调节激光干涉光路在所述发光二极管外延片待腐蚀表面形成光干涉图形，结合现有湿法腐蚀技术对发光二极管外延片进行光辅助湿法腐蚀。

2.根据权利要求1所述的一种利用双光束干涉辅助湿法腐蚀实现发光二极管表面图形制备的方法，其特征在于，所述调节激光干涉光路的方法，包括步骤①-②：

①利用分束镜将单束激光分成两束激光；

②利用现有的激光调节方法调节所述两束激光，使所述两束激光的光斑落在同一发光二极管外延片的待腐蚀表面，使所述两束激光的光斑中心重合、光斑大小相同、光斑功率相同，最终在所述发光二极管外延片的待腐蚀表面形成周期性的光干涉图形。

3.根据权利要求1所述的一种利用双光束干涉辅助湿法腐蚀实现发光二极管表面图形制备的方法，其特征在于，所述对发光二极管外延片进行光辅助湿法腐蚀的方法，该方法包括步骤如下：

③将发光二极管外延片放入聚四氟乙烯平底容器中，加入去离子水没过所述发光二极管外延片的待腐蚀表面，记录所述水位高度；

④按照所述调节激光干涉光路的方法：调节激光干涉光路透过所述的去离子水，在所述发光二极管外延片的待腐蚀表面形成光干涉图形；

⑤排走聚四氟乙烯平底容器中的去离子水，替换加入湿法腐蚀液，所述腐蚀液的液面高度与步骤③的去离子水的水位高度相同；结合步骤④中调节好的干涉图形对所述发光二极管外延片的待腐蚀表面进行光辅助湿法腐蚀。

4.利用如权利要求1所述的制备的方法对红光发光二极管外延片双光束干涉辅助湿法腐蚀的方法，其特征在于，包括步骤如下：

（1）红光发光二极管外延片的生长：利用有机金属化学气相沉积法在GaAs衬底上依次生长布拉格反射镜、n型铝镓铟磷层、多量子阱层、p型铝镓铟磷层和p型GaP层，制备成红光发光二极管外延片；

（2）调节干涉光路：

将所述的红光发光二极管外延片放入聚四氟乙烯平底容器中，加入去离子水没过所述红光发光二极管外延片的待腐蚀表面，记录所述水位高度；

利用分束镜将波长为532nm的激光分成两束，利用现有的激光调节方法调节所述两束激光，使所述两束激光的光斑落在红光发光二极管外延片的待腐蚀表面；使所述两束激光的光斑中心重合、光斑大小相同、光斑功率相同，最终在所述红光发光二极管外延片的待腐蚀表面形成光周期性的干涉图形；

（3）利用步骤（2）中的干涉光路辅助对步骤（1）的红光发光二极管的外延片进行湿法腐蚀：

排走在聚四氟乙烯平底容器中的水，替换加入湿法腐蚀液，所述腐蚀液的液面高度与步骤（2）的水位高度相同；结合步骤（2）中调节好的干涉图形对所述红光发光二极管的外延片进行光辅助湿法腐蚀1min-10min；

（4）对经步骤（3）腐蚀后的红光发光二极管的外延片进行清洗：将腐蚀后的红光发光二极管的外延片放入去离子水中超声清洗10-20min，洗去外延片上的水溶性物质；然后将红光发光二极管的外延片再放入丙酮中超声清洗10-20min，洗去外延片表面的有机物；最后将红光发光二极管的外延片放入酒精中超声清洗10-20min，洗去外延片表面的丙酮和其余的有机物。

5.根据权利要求4所述的对红光发光二极管外延片双光束干涉辅助湿法腐蚀的方法，其特征在于，所述步骤（3）中选用的腐蚀液为强酸和强氧化性试剂的混合溶液：强酸为盐酸溶液、硫酸溶液、氢溴酸溶液或氢氟酸溶液之一，所述强酸的质量分数浓度为10%-37%；强氧化性试剂为高锰酸钾溶液、双氧水、高氯酸钾溶液或过硫酸钾溶液之一，当强氧化性试剂为高锰酸钾溶液时，其质量分数浓度范围为0.1%-6%；当强氧化性试剂为双氧水时，其质量分数浓度范围为0.1%-30%；当强氧化性试剂为高氯酸钾溶液时，其质量分数浓度范围为0.1%-2%；当强氧化性试剂为过硫酸钾溶液时，其质量分数浓度范围0.1%-4%。