[发明专利]一种直流电源输入防反灌电路及方法

权利要求书

1.一种直流电源输入防反灌电路，包括：防反接电路、缓启动电路和采样控制电路，所述防反接电路包含防反接金属氧化物半导体场效应管MOSFET，所述缓启动电路包含缓启动MOSFET和缓启动功率电阻，所述采样控制电路采样所述缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压，在所述缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压小于参考电压时，控制所述防反接MOSFET关断；所述缓启动MOSFET并联所述缓启动功率电阻，在上电时，缓启动MOSFET关闭，通过缓启动功率电阻限制开机冲击电流，当缓启动控制电路检测到输入电容上的电压接近输入电压时，驱动缓启动MOSFET导通，短路所述缓启动功率电阻。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于：

所述防反接MOSFET的源极与所述缓启动MOSFET的源极连接，连接点作为公共地，所述缓启动MOSFET的漏极与所述采样控制电路连接。

3.如权利要求1或2所述的电路，其特征在于，在所述防反接MOSFET的漏极和源极之间还并联有双向的瞬态电压抑制器TVS。

4.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述采样控制电路包含分压电路、比较器和控制管，所述分压电路连接到所述缓启动MOSFET的漏极和所述公共地采样电压，所述分压电路的第一分压端连接到所述比较器的反相输入端，所述分压电路的第二分压端连接到所述比较器的同相输入端，所述比较器的输出端连接到所述控制管的输入端，所述控制管的控制端连接到所述防反接MOSFET，所述比较器在采样的缓启动MOSFET的漏极电压小于采样的公共地的电压时，控制所述控制管关断所述防反接MOSFET。

5.如权利要求4所述的电路，其特征在于，在所述比较器的反相输入端与所述公共地之间还连接有并联的第二二极管和第三二极管，箝位所述反相输入端的电压，所述第二二极管相对第三二极管反方向连接。

6.如权利要求4所述的电路，其特征在于，所述控制管采用三极管，所述三极管的基极作为所述控制管的输入端，所述三极管的集电极和发射极作为所述控制管的控制端，所述三极管的集电极连接到所述防反接MOSFET的栅极，所述三极管的发射极连接到所述防反接MOSFET的源极。

7.如权利要求6所述的电路，其特征在于，所述比较器在采样的缓启动MOSFET的漏极电压小于采样的公共地的电压时，输出高电压，驱动所述三极管导通，拉低所述防反接MOSFET的驱动，关闭所述防反接MOSFET。

8.一种直流电源输入防反灌方法，包括：

采样控制电路采样缓启动电路中包含的缓启动金属氧化物半导体场效应管MOSFET的漏极和源极之间的电压；

所述采样控制电路在所述缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压小于参考电压时，控制防反接电路中包含的防反接MOSFET关断；

所述方法还包括：

所述缓启动MOSFET并联缓启动功率电阻，在上电时，缓启动MOSFET关闭，通过缓启动功率电阻限制开机冲击电流，当缓启动控制电路检测到输入电容上的电压接近输入电压时，驱动缓启动MOSFET导通，短路所述缓启动功率电阻。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：

将所述防反接MOSFET的源极与所述缓启动MOSFET的源极的连接点作为公共地。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述采样控制电路在所述缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压小于参考电压时，控制防反接电路中包含的防反接MOSFET关断，包括：

所述采样控制电路在采样的缓启动MOSFET的漏极电压小于采样的公共地的电压时，关断所述防反接MOSFET。