[发明专利]抗静电干扰的LCD图形设计技术有效

专利信息
申请号: 201210584483.5 申请日: 2012-12-28
公开(公告)号: CN103091877A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 吴晓东;侯英光;陈绍军 申请(专利权)人: 亚世光电股份有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1345;H05F3/00
代理公司: 鞍山嘉讯科技专利事务所 21224 代理人: 张群
地址: 114031 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 抗静电 干扰 lcd 图形 设计 技术
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种利用LCD的图形转换及等电位结构设计来抵抗外界静电干扰的技术。

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display,简称LCD),因其具有外形薄、耗电少、无辐射等优点,被广泛应用于电视、笔记本电脑、移动电话、车载显示屏中。静电问题一直是LCD品质及生产制造过程的一条难以逾越的鸿沟,生产过程产生的静电可以击穿ITO走线,造成产品功能的报废,使用过程中的静电可以造成LCD的多余显示,而且长时间不消失。我们经常会发现在冬天,用手摸过LCD表面,整个LCD屏上乱显一片,过了很长时间才能恢复正常,这都是静电对LCD影响,虽然现在的IC,PCB板等驱动电路都已经充分考虑了产品的抗静电能力,但对于车载LCD等品质要求更高的产品来说,需要一种简单可靠技术的抵御外界静电干扰的技术。

发明内容

本发明的目的是提供一种抗静电干扰的LCD图形设计技术,该技术通过框转移、等电位及图形转换来抵御外界静电干扰,技术可靠,抗静电效果好,避免了乱显或乱显后长时间不消失的现象。

为实现上述目的,本发明通过以下技术方案实现:

抗静电干扰的LCD图形设计技术,LCD液晶盒包括前片玻璃基板、前片玻璃基板电极层、液晶、背片玻璃基板电极层、背片玻璃基板、边框,前片SEG电极位于前片玻璃基板电极层上,前片SEG电极接外引电极;背片COM电极位于背片玻璃基板电极层上,边框中设有可使上下电极层导通的金球;前片玻璃基板电极层通过导线与驱动电路或电源相连接,背片玻璃基板电极层的电极引线通过边框中的导电金球及银点转换到前片玻璃基板电极层上与外部电源相连接,其特征在于,

对于能够通过边框中的导电金球形成等电位的区域,在前片玻璃基板电极层上复制与背片玻璃基板电极层相同的电极引线,并通过边框中的导电金球使在前玻璃基板电极层复制的电极引线与背片玻璃基板电极层原有的电极引线导通形成等电位;同时,在背片玻璃基板电极层上也复制与前片玻璃基板电极层相同的引线,并通过边框中的导电金球使在背片玻璃基板电极层复制的引线与前片玻璃基板电极层上原有的引线导通形成等电位;

对于不能够通过导电金球形成等电位的区域,将该区域的电极引线设置在前片玻璃基板电极层对应位置上接外引电极。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:

该技术通过框转移、等电位及图形转换来抵御外界静电干扰,技术可靠,抗静电效果好,避免了乱显或乱显后长时间不消失的现象。

附图说明

图1是LCD液晶盒的结构示意图。

图2是外界静电作用在液晶盒不同部位示意图。

图3是电极转换前的LCD前片SEG电极、背片COM电极、边框,导电金球结构示意图。

图4是可以直接进行等电位区域及不能进行等电位区域示意图。

图5-1是等电位后,台阶方向的电极结构示意图(台阶方向指外引电极方向)。

图5-2是等电位后,非台阶方向的电极结构示意图。

图6是电极转换后的前片SEG电极、背片COM电极示意图。

具体实施方式

下面结合附图详细叙述本发明的具体实施方式。

见图1, LCD液晶盒包括前片玻璃基板1、前片玻璃基板电极层、液晶3、背片玻璃基板电极层、背片玻璃基板5、边框7,前片SEG电极2位于前片玻璃基板电极层上,前片SEG电极2接外引电极6;背片COM电极  4位于背片玻璃基板电极层上,边框7中设有可使上下电极层导通的金球8。

外界静电干扰从本质上来说,是在与外界接触的LCD表面施加了一定能量的高压,造成了LCD液晶盒上下极板间形成很高的电势差,并且远远高于液晶分子翻转的阈值电压,从而造成多余显示,当电压高到一定程度时,破坏了液晶分子原有的排列方式,使LCD长时间处于显示状态而不消失。

要想实现外界静电干扰时不产生多余显示,主要有两方面的办法:1、通过某种方式使不该显示的区域上下两极板间电势差为零或小于阈值电压。2、将与静电接触面产生的静电通过导体快速传导出去。

对于前片玻璃基板、背片玻璃基板的电极层,能够在两电极层复制电极引线形成等电位的区域(该区域通常为非图形显示区域),即在上下两电极层复制电极引线,并通过边框中的导电金球及导通点形成等电位的方式来抗静电的产生。对于不能形成等电位的填充电极,通过图形转换技术被置换到另外一片电极层,并将该填充电极变成外引电极。

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