[发明专利]一种用于铜互连抛光的工艺方法

权利要求书

1.一种用于铜互连抛光的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤： 

步骤A：用铜化学机械抛光液去除铜并停在阻挡层表面， 

步骤B：用阻挡层化学机械抛光液去除阻挡层、二氧化硅覆盖层、部分低介电材料和部分铜。 

2.如权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述步骤B可分为两步进行。 

3.如权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述步骤A的抛光压力为1.0～2.0psi，抛光头的转速为50～120rpm。 

4.如权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述步骤B的抛光压力为1.0～2.0psi，抛光头的转速为50～120rpm。 

5.如权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述铜抛光液包含研磨颗粒、络合剂、氧化剂，腐蚀抑制剂。 

6.如权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述阻挡层抛光液包含研磨颗粒、络合剂、氧化剂，腐蚀抑制剂。 

7.如权利要求5或6所述的工艺方法，其特征在于，所述的研磨颗粒为二氧化硅、氧化铝、掺杂铝或覆盖铝的二氧化硅、二氧化铈、二氧化钛、高分子研磨颗粒中的一种或多种。 

8.如权利要求5或6所述的工艺方法，其特征在于，所述的研磨颗粒的重量百分比浓度为0.2～10％． 

9.如权利要求5或6所述的工艺方法，其特征在于，所述的络合剂为氨羧化合物及其盐、有机羧酸及其盐、有机膦酸及其盐和有机胺中的一种或多种。 

10.如权利要求9所述的工艺方法，其特征在于，所述的氨羧化合物选自甘氨酸、丙氨酸、缬氨酸、亮氨酸、脯氨酸、苯丙氨酸、酪氨酸、色氨酸、 赖氨酸、精氨酸、组氨酸、丝氨酸、天冬氨酸、苏氨酸、谷氨酸、天冬酰胺、谷氨酰胺、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、环己二胺四乙酸、乙二胺二琥珀酸、二乙烯三胺五乙酸和三乙烯四胺六乙酸中的一种或多种；所述的有机羧酸为醋酸、草酸、柠檬酸、酒石酸、丙二酸、丁二酸、苹果酸、乳酸、没食子酸和磺基水杨酸中的一种或多种；所述的有机膦酸为2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、氨基三甲叉膦酸、羟基乙叉二膦酸、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-羟基膦酸基乙酸、乙二胺四甲叉膦酸和多氨基多醚基甲叉膦酸中的一种或多种；所述的有机胺为乙二胺、二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺中的一种或多种；所述的盐为钾盐、钠盐和/或铵盐。 

11.如权利要求5或6所述的工艺方法，其特征在于，所述的络合剂的含量为重量百分比0.05～5％。 

12.如权利要求11所述的工艺方法，其特征在于，所述的络合剂的含量为重量百分比0.05～3％。 

13.如权利要求5或6所述的工艺方法，其特征在于，所述的氧化剂为过氧化氢、过氧化脲、过氧甲酸、过氧乙酸、过硫酸盐、过碳酸盐、高碘酸、高氯酸、高硼酸、高锰酸钾和硝酸铁中的一种或多种。 

14.如权利要求5或6所述的工艺方法，其特征在于，所述的氧化剂的含量为重量百分比0.05～5％。 

15.如权利要求5或6所述的工艺方法，其特征在于，所述的腐蚀抑制剂为氮唑、咪唑、噻唑、吡啶和嘧啶类化合物中的一种或多种。 

16.如权利要求15所述的工艺方法，其特征在于，所述的氮唑类化合物选自苯并三氮唑、5-甲基苯并三氮唑、5-羧基苯并三氮唑、1-羟基－苯并三氮唑、1，2，4-三氮唑、3-氨基-1，2，4-三氮唑、4-氨基-1，2，4-三氮唑、3，5-二氨基-1，2，4-三氮唑、5-羧基-3-氨基-1，2，4-三氮唑、3-氨基-5-巯基-1，2，4-三氮唑、5-乙酸-1H-四氮唑、5-甲基四氮唑、5-苯基四氮唑、5-氨基-1H-四氮唑和1-苯基-5-巯基-四氮唑中的一种或多种；所述的咪唑类 化合物选自苯并咪唑和2-巯基苯并咪唑中的一种或多种；所述的噻唑类化合物选自2-巯基-苯并噻唑、2-巯基噻二唑和5-氨基-2-巯基-1，3，4-噻二唑中的一种或多种；所述的吡啶选自2，3-二氨基吡啶、2-氨基吡啶和2-吡啶甲酸中的一种或多种；所述的嘧啶为2-氨基嘧啶。