[发明专利]单路静电释放保护器件的加工方法有效
申请号: | 201210585572.1 | 申请日: | 2012-12-30 |
公开(公告)号: | CN103035625A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 黄冕 | 申请(专利权)人: | 深圳中科系统集成技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60;H01L21/60 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 唐华明 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 释放 保护 器件 加工 方法 | ||
1.一种单路静电释放ESD保护器件的加工方法,其特征在于,包括:
在第一基材上加工出第一通孔和第二通孔,其中,所述第一基材包括第一导电层、第二导电层和位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的第一绝缘层;
通过电镀和/或化学镀在所述第一通孔和第二通孔内填充导电物质;
在所述第二导电层上进行图形加工,以将所述第二导电层分割为互不导通的第三导电区域和第四导电区域;
在所述第一导电层上进行图形加工和/或在所述第一导电层上加工出贯穿至所述第一绝缘层的盲槽,以将所述第一导电层分割为互不导通的第一导电区域和第二导电区域,其中,所述第一导电区域通过所述第一通孔内的导电物质与所述第三导电区域导通,所述第二导电区域通过所述第二通孔内的导电物质与所述第四导电区域导通;
在所述第一导电层上设置第一树脂层;
在所述第一树脂层上设置保护层;
在所述保护层上加工出贯穿至所述第一绝缘层的N个盲孔;
在所述N个盲孔内填充浆料,其中,所述第一导电层的第一导电区域通过所述N个盲孔内的浆料与所述第二导电区域相接,其中,所述浆料含有导电粒子和非导电粒子,所述N为正整数;
将所述保护层从所述第一树脂层上剥离;
在所述第一树脂层上设置保护上体。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述在第一基材上加工出第一通孔和第二通孔,包括:通过机械钻孔或激光钻孔方式在所述第一基材加工出第一通孔和第二通孔。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述第一导电层上加工出贯穿至所述第一绝缘层的盲槽包括:通过机械铣槽或激光铣槽方式在所述第一导电层上加工出贯穿至所述第一绝缘层的盲槽。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,
所述盲槽宽度小于或等于50微米。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述第一基材为铜箔基板CCL。
6.根据权利要求1至5任一项所述的方法,其特征在于,所述N个盲孔在所述第一基材的板面方向的部分或全部投影,落入所述盲槽在所述第一基材的板面方向的投影之中。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,
所述保护上体包括:第二基材和设置于所述第二基材上的粘合层;
所述在所述第一树脂层上设置保护上体包括:通过所述粘合层将所述保护上体粘接到所述第一树脂层上。
8.根据要求7述的方法,其特征在于,所述第二基材包括第二绝缘层和第三导电层,其中,所述粘合层设置于所述第三导电层之上;其中,所述N个盲孔在所述第一基材的板面方向的部分或全部投影,落入所述第三导电层的导电区域在所述第一基材的板面方向的投影之中,或者,所述N个盲孔在所述第一基材的板面方向的投影,与所述第三导电层的导电区域在所述第一基材的板面方向的投影重合。
9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述保护上体包括:第二基材、以及设置于所述第二基材上的第二树脂层和设置于所述第二树脂层上的粘合层;
所述在所述第一树脂层上设置保护上体,包括:
通过所述粘合层将所述保护上体粘接到所述第一树脂层上。
10.根据要求9述的方法,其特征在于,所述第二基材包括:第二绝缘层和第三导电层,其中,所述第二树脂层设置于所述第三导电层之上;其中,所述N个盲孔在所述第一基材的板面方向的部分或全部投影,落入所述第三导电层的导电区域在所述第一基材的板面方向的投影之中,或者,所述N个盲孔在所述第一基材的板面方向的投影,与所述第三导电层的导电区域在所述第一基材的板面方向的投影重合。
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