[发明专利]液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201210585984.5 申请日: 2008-07-17
公开(公告)号: CN103064222B 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: 山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 茅翊忞
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 液晶 显示装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

沿第一方向延伸的栅极布线,其中所述栅极布线的第一突起部分沿第二方向延伸;

沿所述第二方向延伸的源极布线,其中所述源极布线的第二突起部分沿所述第一方向延伸;

半导体膜,其中所述半导体膜的第一端部部分与所述第一突起部分重叠,所述半导体膜的第二端部部分与所述第二突起部分重叠;

像素电极,所述像素电极临近所述栅极布线,且其间具有间隙;

导电膜,所述导电膜沿第二方向延伸,从而延伸超过所述间隙并且电气地连接所述半导体膜和所述像素电极,

其中,所述半导体膜包括微晶半导体。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第二突起部分与所述栅极布线重叠。

3.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一突起部分延伸从而靠近所述像素电极。

4.一种半导体装置,包括:

沿第一方向延伸的栅极布线;

沿第二方向延伸的源极布线,其中所述源极布线的分支部分沿所述第一方向延伸到一个位置,并且沿所述第二方向从该位置延伸;以及

半导体膜,其中所述半导体膜的第一端部部分与所述分支部分重叠;

像素电极,所述像素电极临近所述栅极布线,且其间具有间隙;以及

导电膜,所述导电膜沿所述第二方向延伸,从而延伸超过所述间隙并且电气地连接所述半导体膜和所述像素电极,其中所述导电膜包括沿第二方向延伸的突起部分,

其中,所述半导体膜的第二端部部分与所述突起部分重叠,并且

其中,所述半导体膜包括微晶半导体。

5.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述分支部分的第一部分与所述栅极布线重叠,所述分支部分的第二部分不与所述栅极布线重叠,以使所述分支部分和所述栅极布线之间存在空间。

6.一种半导体装置,包括:

沿第一方向延伸的栅极布线,其中所述栅极布线具有沿第二方向凹陷的部分;

沿所述第二方向延伸的源极布线;以及

半导体膜,所述半导体膜与所述栅极布线和所述源极布线重叠;

像素电极,所述像素电极临近所述栅极布线,且其间具有间隙;以及

导电膜,所述导电膜位于凹陷部分内,其中所述导电膜延伸从而电气地连接所述半导体膜和所述像素电极,

其中,所述半导体膜包括微晶半导体。

7.如权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,所述栅极布线包括沿所述第二方向延伸的突起部分,并且与所述半导体膜重叠。

8.如权利要求1、4和6中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第一方向基本上垂直于所述第二方向。

9.如权利要求1、4和6中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体膜的整个部分与所述栅极布线重叠。

10.如权利要求1、4和6中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述像素电极临近所述源极布线,且其间具有间隙。

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