[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

存储器单元块，所述存储器单元块包括多个存储器单元；

外围电路部，所述外围电路部被配置成执行包括供应擦除电压的供应操作和擦除验证操作的擦除循环，以将储存在存储器单元中的数据擦除；

失败位计数器，所述失败位计数器被配置成通过对存储器单元之中的在擦除操作中未被擦除的存储器单元的数目计数来产生失败计数；以及

控制器，所述控制器被配置成控制外围电路部，以致：当将由失败位计数器产生的失败计数与前一失败计数相比较的结果是由失败位计数器产生的失败计数小于所述前一失败计数时，利用通过增大擦除电压所获得的第一擦除电压来执行第一擦除电压施加操作，以及当所述失败计数大于或等于所述前一失败计数时，利用通过减小擦除电压所获得的第二擦除电压来执行第二擦除电压施加操作和新的擦除验证操作，

其中，所述控制器控制外围电路部，以致：当判定所述新的擦除验证操作失败时，利用通过减小所述第二擦除电压所获得的新的第二擦除电压来再次执行第二擦除电压施加操作。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述存储器单元是电荷陷阱型存储器单元。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述外围电路部包括：

电压发生部，所述电压发生部被配置成产生擦除电压，并且将擦除电压供应给存储器单元块的p阱；以及

页缓冲器部，所述页缓冲器部被配置成感测所述存储器单元的阈值电压，并且基于所述擦除验证操作的结果来验证所述擦除操作。

4.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中，所述页缓冲器部在所述存储器单元中的至少一个存储器单元的阈值电压比指定的阈值电压高时判定所述擦除操作失败。

5.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：循环计数器，所述循环计数器被配置成对执行擦除循环的次数计数，以产生循环计数信号。

6.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中，在响应于所述循环计数信号执行的当前擦除循环的次数超过指定的最大循环次数时，所述控制器结束所述擦除操作。

7.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述控制器包括：

寄存器，所述寄存器被配置成储存前一擦除循环的失败计数；以及

比较电路，所述比较电路被配置成将储存在所述寄存器中的所述前一擦除循环的失败计数与当前擦除循环的失败计数进行比较。

8.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述控制器通过将从所述失败位计数器输出的所述当前擦除循环的失败计数与储存在所述寄存器中的所述前一擦除循环的失败次数进行比较，来判定所述当前擦除循环的失败计数是增加还是减小。

9.如权利要求8所述的半导体存储器件，其中，所述控制器被配置成当所述当前擦除循环的失败计数比所述前一擦除循环的失败计数小时，通过将所述擦除电压增加第一步进电压来设定所述第一擦除电压，并且所述控制器被配置成当所述当前擦除循环的失败计数比所述前一擦除循环的失败计数大时，通过将所述擦除电压减小第二步进电压来设定所述新的第二擦除电压。

10.如权利要求9所述的半导体存储器件，其中，所述第二步进电压低于或等于所述第一步进电压。