[发明专利]光学器件、可调激光器以及实现可调激光器的方法有效
申请号: | 201210587313.2 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103904555A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 桂林 | 申请(专利权)人: | 上海贝尔股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/065 | 分类号: | H01S5/065;H01S5/06 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 201206 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 器件 可调 激光器 以及 实现 方法 | ||
技术领域
本发明涉及光通信技术,尤其涉及光通信技术中的可调激光器。
背景技术
目前,虽然GPON(千兆无源光网络)和EPON(以太无源光网络)已经被部署,而10G无源光网络(XGPON)的标准化也已经完成,但是带宽消耗的增长趋势仍然在迅猛增加,这是由于数据业务量的增加以及对更高质量的视频的需求。根据下一代PON2(NGPON2)白皮书中的运营商要求,在数年的时间内,预计带宽需求将超过250Mbit/s,因此,该带宽的增长可能造成目前的GPON部署的一个瓶颈。甚至,已经标准化的XGPON技术都无法满足这一持续增长的带宽消耗。因此,具有40Gbit/s能力以及大量用户数的光接入技术应被开发出来。
对于40Gbit/s PON,时分和波分复用PON(TWDM-PON)是一个很有竞争力的解决方案,并且它也被运营商选为它们主要的“下一代PON2的解决方案”。TWDM-PON的关键技术在于ONU中的两个可调设备的实现,如图1所示。其中的可调激光器将它的波长调节到上行波长中的任一个;而可调的滤波器将它的波长调节到下行波长中的任一个。但是,商用的可调器件的成本很高,这限制了TDWM-PON的广泛应用。
现有的可调激光器有以下一些较为成熟的方案:
-带有温度控制的分布式反馈(DFB)激光器;
-不带冷却的多段DFB;
-不带冷却的、具有机械控制的外腔激光器(ECL);
-不带冷却的、具有热/电/压/磁-光控制的ECL。
为了减少可调器件的成本,推荐使用基于硅的集成电路,近几年,提出了几种基于微环(micro-ring)可调激光器的解决方案。大体上说,它们可以划分为两类:主动式微环和被动式微环。其中,主动式微环同时提供增益和滤波功能,而被动式微环是作为模式选择性滤波器。
图2中示出了一种主动式微环。它可以产生直接单个模式。但是,主动式微环通常由复合材料组成,III-V微环和硅的微型碟,它们的可调特性并不足够好。
图3中示出了被动式微环,其中包括两种构思的实现。(a)中,环谐振腔被放置在回路镜的路径上;而在(b)中,使用布拉格镜。通过改变微环的谐振波长(谐振频率),这些结构能够改变输出的纵模,而改变谐振波长可以通过图中的加热电极来实现:加热电极改变硅波导的折射率,从而谐振波长(频率)被容易地调节到所需的波长(频率)。
对于被动式微环来说,存在一些问题。首先,调节范围和谐振曲线的稳定性无法满足TDWM-PON的需求。通过计算在1550nm附近的、谐振的温度相关性,可以发现谐振曲线的移位是每摄氏度0.085nm。因此,为了在红移方向实现4.25nm的移位,需要50摄氏度的温度增加,这对于光接入网的ONU设备来说是很难接受的。除了调节范围的问题之外,谐振曲线的稳定性也是一个问题。第二,在所选波长上的调制信号的质量应能得到改善。在TDWM-PON中,单个波长的比特率必须支持2.5G-10Gbit/s,因此,直接调制的可调光器方案可能遭遇严重的啁啾(chirp)问题,它恶化了信号质量并且缩短了传输距离。
发明内容
基于现有技术中的缺点,应能利用硅光学领域的新近成果,设计出具有大可调范围和良好稳定性的可调激光器,并且,调制信号的质量也应能得到改善。
根据本发明的优选的实施方式,提供了一种新颖的结构,它能够同时完成选择上行波长(纵模)的功能,以及将待调制的信息(电信号)调制在该波长上的功能,图4示出了这种实施方式的结构,图5示出了这种实施方式的光路图。优选地,能够使用相兼容的CMOS SOI工艺,将该设计制作在单个硅片上,从而一个额外的硅片就能够提供波长调节和外调制功能。该结构的关键创新点至少包括以下:
1.使用FP-LD(法布里-珀罗激光源)来提供多个纵模,多个纵模的频谱间隔满足上行波长的需求
FP-LD的输出纵模应能够覆盖波分复用中的各个上行波长,并且,FP-LD提供了增益功能并且输出多纵模的激光信号。
2.使用一个新颖的、集成了调制功能的热可调滤波器,同时完成选择所需的上行波长以及将电信号调制在该波长上的功能。
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