[发明专利]热致发声装置

权利要求书

1.一种热致发声装置，包括：

一硅基底，具有一表面；

多个发声单元，所述多个发声单元均设置在同一硅基底的表面，每一发声单元包括一热致发声元件、一第一电极和一第二电极，所述热致发声元件串联在所述第一电极和第二电极之间；

多个开关元件，所述多个开关元件与所述多个发声单元一一对应设置，每一开关元件与一发声单元中的第一电极电连接；

一驱动集成电路，所述驱动集成电路包括多个驱动电极，每个开关元件串联在所述驱动电极与第一电极之间，每一驱动电极通过一开关元件向所述发声单元输入驱动电压；

一扫描集成电路，所述扫描集成电路包括多个扫描电极，扫描电极与开关元件电连接，每一扫描电极通过开关元件控制驱动电极向所述发声单元输入驱动电压；以及

一公共电极，所述公共电极与所述多个发声单元的第二电极电连接。

2.如权利要求1所述的热致发声装置，其特征在于，所述发声单元进一步包括多个第一电极以及多个第二电极与交替间隔设置，所述多个第一电极与所述开关元件电连接，所述多个第二电极与所述公共电极电连接。

3.如权利要求1所述的热致发声装置，其特征在于，所述第一电极和第二电极为梳状电极，所述第一电极和第二电极相互交错的插入设置。

4.如权利要求2所述的热致发声装置，其特征在于，所述每一开关元件为一三极管，包括一源极、一漏极及一栅极，所述源极与所述驱动电极电连接，所述栅极与所述扫描电极电连接，所述漏极与所述多个第一电极电连接。

5.如权利要求4所述的热致发声装置，其特征在于，所述开关元件为一晶体三极管或一场效应管。

6.如权利要求4所述的热致发声装置，其特征在于，所述开关元件为一薄膜晶体管。

7.如权利要求1所述的热致发声装置，其特征在于，所述基底的该表面进一步包括多个凹部，所述热致发声元件设置在所述基底的所述表面，所述热致发声元件与凹部对应位置处悬空设置。

8.如权利要求7所述的热致发声装置，其特征在于，所述多个凹部为多个平行且沿同一方向延伸的条形凹槽，所述凹槽的深度为100微米至200微米。

9.如权利要求8所述的热致发声装置，其特征在于，所述热致发声元件为一层状碳纳米管结构。

10.如权利要求9所述的热致发声装置，其特征在于，所述层状碳纳米管结构由多个碳纳米管组成，该多个碳纳米管沿同一方向延伸，且所述多个碳纳米管的延伸方向与所述多个条形凹槽的延伸方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度。

11.如权利要求10所述的热致发声装置，其特征在于，在延伸方向上相邻的碳纳米管通过范德华力首尾相连，所述层状碳纳米管结构中的多个碳纳米管平行于所述基底的表面。

12.如权利要求9所述的热致发声装置，其特征在于，所述层状碳纳米管结构包括多个平行且间隔设置的碳纳米管线，所述多个碳纳米管线的延伸方向与所述多个条形凹槽的延伸方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度。

13.如权利要求12所述的热致发声装置，其特征在于，相邻碳纳米管线之间的间隔为0.1微米至200微米。

14.如权利要求8所述的热致发声装置，其特征在于，所述第一电极及第二电极设置于相邻的凹槽之间的基底表面。

15.如权利要求1所述的热致发声装置，其特征在于，所述基底的材料为单晶硅，所述热致发声元件通过一设置于基底表面的绝缘层与所述基底绝缘。