[发明专利]硅基异质结太阳能电池真空处理系统及电池制备方法

权利要求书

1.一种硅基异质结太阳能电池真空处理系统，包括：位于所述真空处理系统中央位置的传输腔(11)，所述传输腔(11)呈现多边形结构，且具有第一连接面(112)，第二连接面(113)，第三连接面(114)，第四连接面(115)，第五连接面(116)；在所述第一连接面(112)，第二连接面(113)，第三连接面(114)的位置分别配置有多个反应腔(12，13，14)，每个所述反应腔(12，13，14)的内部设置有一个或多个用于放置待处理硅片的托盘，所述反应腔(12，13，14)中至少一个反应腔用于对硅片进行I型非晶硅薄膜的化学气相沉积处理；在所述第四连接面(115)的位置配置有进/出片腔(15)，所述进/出片腔(15)用于连接所述传输腔(11)和外界的大气环境；在所述第五连接面(116)的位置配置有与其相接的氧化层蚀刻腔(16)，所述氧化层蚀刻腔(16)用于去除硅片表面的氧化层；设置在传输腔(11)中的机械手用于将放置有硅片的托盘在反应腔(12，13，14)与蚀刻腔(16)之间传输。

2.根据权利要求1所述的一种硅基异质结太阳能电池真空处理系统，其特征在于：所述氧化层蚀刻腔包括：蚀刻腔腔体、气体喷淋头、基座和至少两个进气口，所述气体喷淋头设置于所述蚀刻腔腔体内的顶壁位置用于使气体分布均匀，所述基座设置于所述蚀刻腔腔体内用于放置所述硅片托盘。

3.根据权利要求2所述的一种硅基异质结太阳能电池真空处理系统，其特征在于：所述至少两个进气口中的一个进气口用于向所述蚀刻腔腔体内通入HF气体，另一个进气口用于向所述蚀刻腔腔体内通入纯水蒸汽。

4.根据权利要求1所述的一种硅基异质结太阳能电池真空处理系统，其特征在于：所述反应腔为等离子体增强型化学气相沉积反应腔，所述化学气相沉积处理为等离子体增强型化学气相沉积处理。

5.根据权利要求4所述的一种硅基异质结太阳能电池真空处理系统，其特征在于：所述等离子体增强型化学气相沉积反应腔中包括反应腔腔体、气体喷淋头、射频电源、进气口和基座。

6.根据权利要求5所述的一种硅基异质结太阳能电池真空处理系统，其特征在于：所述射频电源的频率为13.56MHZ或40MHz。

7.根据权利要求1所述的一种硅基异质结太阳能电池真空处理系统，其特征在于：所述反应腔中用于沉积I型非晶硅薄膜的腔体个数为1-5个。

8.根据权利要求1所述的一种硅基异质结太阳能电池真空处理系统，其特征在于：所述硅片为N型单晶硅片或P型单晶硅片或N型多晶硅片或P型多晶硅片中的一种。

9.根据权利要求1所述的一种硅基异质结太阳能电池真空处理系统，其特征在于：所述真空处理系统既可以生产单面硅基异质结太阳能电池，也可以生产双面硅基异质结太阳能电池。

10.一种硅基异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

第一步，提供装有硅片的托盘；

第二步，提供包含能去除硅片表面氧化物的氧化层蚀刻腔、沉积非晶硅薄膜的反应腔、以及将硅片托盘传入或传出进/出片腔的真空处理系统；

第三步，采用碱溶液或酸溶液对所述托盘中的硅片进行表面处理；

第四步，利用湿法氧化方法在所述硅片表面形成氧化物保护层；

第五步，在大气中将所述硅片传输至所述真空处理系统中；

第六步，在所述真空处理系统中的氧化层蚀刻腔内利用HF溶液去除所述硅片表面的氧化物保护层；

第七步，在所述真空处理系统中的所述反应腔内利用化学气相沉积方法在所述硅片表面制备非晶硅薄膜；

第八步，采用物理气相沉积或化学气相沉积方法在所述非晶硅薄膜表面沉积透明导电膜，作为表面电极。

11.根据权利要求10所述的一种硅基异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述硅片为N型单晶硅片或P型单晶硅片或N型多晶硅片或P型多晶硅片中的一种。

12.根据权利要求10所述的一种硅基异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述的碱溶液为NaOH或KOH或其组合；所述酸溶液为HNO₃，HF,HCl或其组合。