[发明专利]半导体堆栈结构及其制法

权利要求书

1.一种半导体堆栈结构，其特征在于，包括：

芯片，其具有相对的第一表面与第二表面、及相邻该第一表面与该第二表面的侧面，该芯片的第一表面具有多个电性接触垫，且该芯片的第二表面上具有线路重布层，而该芯片的侧面上具有隔离层，又该芯片中具有导电盲孔以电性连接该线路重布层与该电性接触垫；

保护层，其形成于该芯片的第二表面与该线路重布层上；以及

基板，其具有多个坝块以对应各该电性接触垫，并供该芯片通过其第一表面结合于该基板上。

2.根据权利要求1所述的半导体堆栈结构，其特征在于，该隔离层形成于该芯片的第二表面与该线路重布层之间、及该导电盲孔的孔壁上。

3.根据权利要求1所述的半导体堆栈结构，其特征在于，该基板为硅基板或玻璃板。

4.一种半导体堆栈结构的制法，其特征在于，包括：

提供一具有相对的第一表面与第二表面的晶圆，该晶圆的第一表面具有多个电性接触垫；

将该晶圆通过其第一表面设置于一第一承载件上；

形成多个盲孔于该晶圆的第二表面上，以令所述电性接触垫对应外露出各该盲孔；

由该晶圆的第二表面切割该晶圆，以形成多个芯片；

将各该芯片由该第一承载件移至一设有多个定位部的第二承载件上，且该芯片的第二表面设置于该第二承载件上，以外露该芯片的第一表面，并令所述定位部对应位于各该芯片之间，使各该芯片之间具有间距；

提供表面具有多个坝块的基板，以将各该芯片第一表面上的电性接触垫对应各该坝块，使各该芯片其第一表面结合于该基板上；

移除该第二承载件及所述定位部；

形成隔离层于各该芯片的第二表面、盲孔的孔壁与各该芯片的侧面上，且该电性接触垫外露出该盲孔；

形成线路重布层于各该芯片的第二表面上的部分隔离层上，且形成导电盲孔于该盲孔中，以通过该导电盲孔电性连接该线路重布层与该电性接触垫；

形成保护层于各该芯片的第二表面上的隔离层与该线路重布层上；以及

沿各该芯片之间的间距切割该基板，以形成多个该半导体堆栈结构。

5.根据权利要求4所述的半导体堆栈结构的制法，其特征在于，该第一承载件为玻璃板。

6.根据权利要求4所述的半导体堆栈结构的制法，其特征在于中，该第一承载件通过粘着层结合于该晶圆的第一表面上。

7.根据权利要求4所述的半导体堆栈结构的制法，其特征在于，该第二承载件为散热胶带、硅板或玻璃板。

8.根据权利要求4所述的半导体堆栈结构的制法，其特征在于，该定位部为网版或该第二承载件上的凸状。

9.根据权利要求4所述的半导体堆栈结构的制法，其特征在于，该基板为硅基板或玻璃板。

10.根据权利要求4所述的半导体堆栈结构的制法，其特征在于，该制法还包括形成该盲孔之前，研磨该晶圆的第二表面。

11.根据权利要求4所述的半导体堆栈结构的制法，其特征在于，该制法还包括切割该基板时，一并切割该坝块。