[发明专利]一种实现存储器中数据备份的方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种实现存储器中数据备份的方法及装置。

背景技术

与非型闪存(NAND Flash)是一种非易失性随机访问存储器，适合存储大容量数据，可以分为单阶储存单元(Single Level Cell，简称SLC)以及多阶储存单元(Multi Level Cell，简称MLC)两种类型。NAND Flash主要包括：内部寄存器和存储矩阵。存储矩阵由若干个存储平面(Plane)组成，每个Plane由若干个存储块(Block)组成，每个Block由若干个存储页(Page)组成，每个Page由若干个字节(Bytes)组成。每个Plane对应一个内部寄存器。

目前，当需要实现不同Plane中源Page到目的Page的数据备份时，在控制器的控制下，存储器先将源Page中的待备份数据经源Page对应的源内部寄存器传输至存储器的I/O接口，并存储在外部存储器中，再通过I/O接口经目的Page对应的目的内部寄存器将该待备份数据写入目的Page中。

在实现上述不同Plane中源Page到目的Page的数据备份时，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：通过外部存储器增加了成本以及设计复杂性。

发明内容

本发明的实施例提供一种实现NAND Flash中数据传输的方法及装置，用以减少成本、降低设计复杂度。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种实现存储器中数据备份的方法，所述存储器包括：存储阵列以及内部寄存器；其中，所述存储阵列包括：至少两个存储平面，每一所述存储平面由多个存储块组成，每一所述存储块由多个存储页组成；所述存储平面与所述内部寄存器一一对应；该方法包括：

获取跨平面数据备份命令；所述跨平面数据备份命令包括：源存储平面中第一存储页的地址以及目的存储平面中第二存储页的地址，所述源存储平面和所述目的存储平面为不同平面；

控制所述存储器根据所述第一存储页的地址，从所述第一存储页中读取待备份数据至所述源存储平面对应的源内部寄存器，所述待备份数据包括多个字节；并控制所述待备份数据中的第一字节向所述存储器的I/O接口传输；

控制所述存储器在所述源内部寄存器向所述I/O接口传输所述待备份数据中的第二字节之前，根据所述第二存储页的地址，从所述I/O接口向所述目的存储平面对应的目的内部寄存器传输所述第一字节；并将所述目的内部寄存器中的数据写入所述第二存储页中，直至所述待备份数据全部写入所述第二存储页；所述第一字节为所述待备份数据中的任一字节，所述第二字节为所述第一字节的下一个字节。

在第一种可能的实现方式中，根据第一方面，所述控制所述存储器根据所述第一存储页的地址，从所述第一存储页中读取待备份数据至所述源存储平面对应的源内部寄存器；并控制所述待备份数据中的第一字节向所述存储器的I/O接口传输，包括：

向所述存储器发送读命令、第一地址命令以及读控制信号，所述第一地址命令包括所述第一存储页的地址；以使得所述存储器根据所述读命令和所述第一存储页的地址，从所述第一存储页中读取待备份数据至所述源存储平面对应的源内部寄存器，并将所述源内部寄存器中的数据向所述存储器的I/O接口传输，其中，当所述读控制信号一次有效时，所述源内部寄存器向所述存储器的I/O接口传输一个第一字节。

在第二种可能的实现方式中，根据第一方面，所述控制所述存储器在所述源内部寄存器向所述I/O接口传输所述待备份数据中的第二字节之前，根据所述第二存储页的地址，从所述I/O接口向所述目的存储平面对应的目的内部寄存器传输所述第一字节；并将所述目的内部寄存器中的数据写入所述第二存储页中，直至所述待备份数据全部写入所述第二存储页，包括：

在所述源内部寄存器中的所述待备份数据的第一个字节输出至所述存储器的I/O接口之前，向所述存储器发送写命令以及第二地址命令，所述第二地址命令包括所述第二存储页的地址；以使得所述存储器根据所述写命令以及所述第二存储页的地址，从所述I/O接口向所述目的内部寄存器传输待备份数据；

向所述存储器发送写控制信号，以使得所述存储器根据所述写命令、所述第二地址命令以及所述写控制信号将将所述目的内部寄存器中的数据写入所述第二存储页；其中，当所述写控制信号一次有效时，从所述I/O接口向所述目的内部寄存器传输一个所述第一字节，直至所述待备份数据全部写入所述第二存储页；所述写控制信号一次有效的时刻在所述存储器从所述源寄存器向所述I/O接口传输第一字节之后、传输第二字节之前。