[发明专利]一种调整减反射膜厚度和折射率的方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种调整减反射膜厚度和折射率的方法。

背景技术

在目前的太阳能电池片的制作过程中，在硅片表面形成减反射膜为太阳能电池片制作过程中必不可少的一部分。硅片表面的减反射膜具有钝化作用和减反射作用，此减反射膜的质量对太阳能电池的性能具有很大的影响。

为了检测减反射膜的质量，也即为了保证太阳能电池的性能，在形成减反射膜后，需要通过测量仪器，对形成的减反射膜的均匀性进行测试。所述均匀性与减反射膜的厚度和折射率有关，是通过STDVE函数反应减反射膜厚度和折射率标准差的一个数值，用以反应减反射膜的厚度和折射率的均匀性。

在生产实践中，为了保证减反射膜的均匀性，通常在镀膜过程中需要调整减反射膜的厚度和折射率。但是现有技术中的调整减反射膜的厚度和折射率的方法对减反射膜厚度和折射率的均匀性的调整有一定的局限性，从而影响成品太阳能电池片的质量。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种调整减反射膜厚度和折射率的方法，可以克服现有技术在调整减反射膜的厚度和折射率时的局限性，保证成品太阳能电池片的质量。

为实现上述目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种调整减反射膜厚度和折射率的方法，包括：设置多个温区；获取各个温区内已沉积完成的硅片表面减反射膜的厚度和折射率；根据所获取的各个温区内已沉积完成的硅片表面减反射膜的厚度和折射率，调整相应的各个温区内当前待沉积硅片的加热速率；在待沉积硅片表面形成减反射膜。

优选的，所述获取各个温区内已沉积完成的硅片表面减反射膜的厚度和折射率包括：分别在各个温区内已沉积完成的硅片中选取样本硅片；在每个样本硅片表面选取多个样本点；测量并记录每个样本硅片表面的多个样本点处的减反射膜的厚度和折射率；根据测量所得的各样本硅片样本点处的减反射膜的厚度和折射率，分别计算并记录每个样本硅片表面的多个样本点处的减反射膜的厚度平均值和折射率平均值，作为每个样本硅片的减反射膜的厚度和折射率，即各个温区内已沉积完成的硅片表面减反射膜的厚度和折射率。

优选的，所述根据所获取的各个温区内已沉积完成的硅片表面减反射膜的厚度和折射率，调整相应的各个温区内当前待沉积硅片的加热速率包括：分别将所获取的各个温区内已沉积完成的硅片表面减反射膜的厚度与预设厚度、所获取的各个温区内已沉积完成的硅片表面减反射膜的折射率与预设折射率进行比较；根据比较结果调整相应的各个温区内的当前待沉积硅片的加热速率。

优选的，所述根据比较结果调整相应的各个温区内的当前待沉积硅片的加热速率包括：当某个温区内已沉积完成的硅片表面减反射膜的厚度大于预设厚度，且折射率小于预设折射率时，提高相应温区内的待沉积硅片的加热速率。

优选的，所述根据比较结果调整相应的各个温区内的当前待沉积硅片的加热速率包括：当某个温区内已沉积完成的硅片表面减反射膜的厚度小于预设厚度，且折射率大于预设折射率时，降低相应温区内的待沉积硅片的加热速率。

优选的，所述调整减反射膜厚度和折射率的方法还包括：测试各个温区内已沉积完成的硅片表面减反射膜的厚度的均匀性和折射率的均匀性。

优选的，所述测试各个温区内已沉积完成的硅片表面减反射膜的厚度和折射率的均匀性包括：分别在各个温区已沉积完成的硅片中获取样本硅片；在每个样本硅片表面选取多个样本点；测量并记录每个样本硅片表面的多个样本点处的减反射膜的厚度和折射率；计算所有样本硅片表面的所有样本点处的减反射膜的厚度标准差和折射率标准差；根据减反射膜的厚度标准差和折射率标准差，判断各个温区内已沉积完成的硅片表面减反射膜的厚度的均匀性和折射率的均匀性。

优选的，所述调整减反射膜厚度和折射率的方法应用于链式PECVD设备时，包括：设置三个温区，其中所述三个温区包括第一温区、第三温区以及位于第一温区和第三温区之间的第二温区；将硅片分为五组，分别放置于所述三个温区，其中第一温区和第三温区分别对应有一组硅片、第二温区对应有三组硅片；获取各个温区内已沉积完成的五组硅片表面减反射膜的厚度和折射率；根据所获取的各个温区内已沉积完成的各组硅片表面减反射膜的厚度和折射率，调整相应的各个温区内当前待沉积的各组硅片的加热速率；在待沉积硅片表面形成减反射膜。