[发明专利]用于太阳能电池组件的聚烯烃封装材料无效
申请号: | 201210590894.5 | 申请日: | 2012-12-31 |
公开(公告)号: | CN103146050A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 赵世界;韩鹏;唐铭徽 | 申请(专利权)人: | 江苏斯威克新材料有限公司 |
主分类号: | C08L23/08 | 分类号: | C08L23/08;C08K5/5425;C08K5/132;C08K5/14;C08K5/103;B29C47/92;H01L31/048 |
代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 曾少丽 |
地址: | 213251 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 组件 烯烃 封装 材料 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于太阳能电池组件的聚烯烃封装材料,应用于太阳能行业,特别适用于太阳能电池组件的封装。
背景技术
EVA作为太阳能电池组件的封装材料具有高粘接性、低收缩率、增透等性能特点,EVA本身抗老化性能差,通常在EVA中加入紫外线稳定剂和过氧化物交联剂可以提高其抗紫外老化、抗蠕变性和耐候性,但在长期的湿热环境和紫外光照射下,EVA本身结构会发生化学降解,使胶膜颜色发生变化,这些颜色变化降低了太阳光的透过率,极大的损失了光电转化效率,太阳能电池组件长期在高电压作用下使得玻璃、EVA封装材料之间存在漏电流,大量电荷聚集在电池片表面,使得电池表面的钝化效果恶化,导致填充因子(FF)、短路电流密度(Jsc)、开路电压(Voc)降低,使组件的性能降低。
发明内容
本发明提供一种用于太阳能电池组件的聚烯烃封装材料,解决上述EVA封装材料所产生的问题,原料成本低,产品物理性质良好,体积电阻高,PID风险低。
本发明是通过以下的技术方案实现的:
一种用于太阳能电池组件的聚烯烃封装材料,是由以下的重量分数的原料组成的:90%~97%改性聚烯烃、0%~5%交联剂、0.5%~3%的硅烷偶联剂、0.1%~0.4%的抗氧剂、0.1%~0.3%的紫外光吸收剂和0.05%~0.15%的紫外光稳定剂。
所述的改性聚烯烃为乙烯含量在85%~99%之间,所述改性聚烯烃为乙烯-丙烯共聚物、丁烯改性聚乙烯、辛烯改姓聚乙烯、己烯改性聚乙烯中的一种或几种混合。
所述交联剂包括交联固化剂和助交联剂,其中交联固化剂包括有机过氧化物和偶氮化合物,其中有机过氧化物包括:过氧化异丙苯、二叔丁基过氧化物、过氧化氢二异丙苯、2,5-二甲基-2,5二叔丁基过氧化己烷、4,4-二(叔戊基过氧)戊酸正丁基酯,过氧化-2-乙基己基碳酸叔丁酯、3,3-二(叔丁基过氧)丁酸乙酯中的一种或几种;所述助交联剂包括三烯丙基异氰脲酸酯、三聚氰酸三烯丙酯、苯二乙烯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、二甲基丙烯酸二乙二醇酯、邻苯二甲酸二烯丙酯中的一种。
所述硅烷偶联剂为乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三过氧化叔丁基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷中的一种或几种混合。
所述抗氧剂为四[β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯、β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸正十八碳醇酯中的一种。
所述紫外光吸收剂和紫外光稳定剂选自下列物质:双(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、聚(1-羟乙基-2,2,6,6-四甲基-4-羟基哌啶)丁二酸酯、聚{[6-[(1,1,3,3-四甲基丁基)氨基]]-1,3,5-三嗪-2,4-[(2,2,6,6,-四甲基-哌啶基)亚氨基]-1,6-己二撑[(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亚氨基]}、聚丁二酸(4-羟基-2,2,6,6-四甲基-1-哌啶乙醇)酯、聚-{[6-[(1,1,3,3,-四甲基丁基)-胺基]1,3,5,-三嗪-2,4-二基][(2,2,6,6-四甲基哌啶基)-亚胺基]-1,6-己烷二基-[(2,2,6,6-四甲基哌啶基)-亚胺基]}、2-(2’-羟基-5’-甲基苯基)苯并三氮唑、2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、2-(2-羟基-3,5-二丁叔基苯基)-5-氯代苯并三唑中的两种或两种以上混合。
本发明的有益效果为:
1.原料成本较低,易得,易保存,生产的产品质量稳定;
2.本原料混合后制备熔融指数适中,无过高工艺要求;
3.体积电阻高,PID风险低;
4.粘接强度好,透光率高。
具体实施方式
以下结合实施例,对本发明做进一步说明。
实施例1
单层0.5mm厚度聚烯烃胶膜包括:以质量分数计96%的辛烯改性聚乙烯、2.65%的乙烯基三过氧化叔丁基硅烷、0.1%的双(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、0.25%的2-羟基-4正辛氧基二苯甲酮;
挤出工艺:螺杆转速85转/分钟,四段加热区温度分别为125℃、125℃、125℃、135℃,然后在机头处流延成膜。
实施例2
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