[发明专利]有散热要求FC电路的气密性封帽方法有效
| 申请号： | 201210591102.6 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103021887A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 郭伟;李宗亚;肖汉武;敖国军 | 申请（专利权）人： | 无锡中微高科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 散热 要求 fc 电路 气密性 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种有散热要求FC电路的气密性封帽方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤101，首先将FC芯片(1)倒扣焊接在基板(5)上；
步骤102，接着把导热胶(2)涂覆在FC芯片(1)的背面，并把盖板(4)定位在外壳焊接环(3)上，盖板(4)内表面与导热胶(2)充分接触粘连；
步骤103，然后把还未气密性封帽的FC电路放入平行缝焊机中，进行第一阶段缝焊，将盖板(4)的上边、下边与外壳焊接环(3)进行缝焊；在盖板(4)的左边和右边上留出未缝焊预留区(6)不进行缝焊，盖板(4)的左边和右边上除未缝焊预留区(6)外其它部分与外壳焊接环(3)进行缝焊；
步骤104，随后在平行缝焊机中进行导热胶(2)的固化，导热胶(2)的固化温度为120～150℃,固化时间为2～4小时；然后将盖板(4)下的腔体内的气体排出；
步骤105，接着在平行缝焊机中将氮气充入盖板(4)下的腔体，氮气纯度≥99.0％，充入时间5分钟～10分钟；
步骤106，最后进行第二阶段缝焊，将盖板(4)的左边、右边上未缝焊预留区(6)与外壳焊接环(3)进行缝焊，完成FC电路最后的气密封封帽。
2.如权利要求1所述的有散热要求FC电路的气密性封帽方法，其特征在于：上述步骤103中，盖板(4)的左边、右边上未缝焊预留区(6)的长度为右边的1/4。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
