[发明专利]一种窄光谱高功率半导体激光器面阵的制备方法无效
| 申请号： | 201210591298.9 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103138159A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 刘兴胜;康利军;吴迪;王警卫;戴晔 | 申请（专利权）人： | 西安炬光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/024 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 陈广民 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光谱 功率 半导体激光器 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种窄光谱高功率半导体激光器面阵的制备方法，所述半导体激光器面阵由多个半导体激光器巴条在同一平面上形成，各个巴条通过串联、并联或串并联结合的方式进行电连接；采用以下步骤制成：
依据半导体激光器面阵的制冷方式对半导体激光器面阵进行模拟及实验，得出组成面阵的各个巴条的温度分布情况；
然后测量各个巴条的光谱，得出各个巴条的中心波长；
将中心波长较大的巴条置于面阵温度较低的区域，将中心波长较小的巴条置于面阵温度较高的区域，使巴条波长与区域温度相匹配；
组装面阵，达到组成面阵的巴条波长一致输出，即为窄光谱高功率半导体激光器面阵。
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