[发明专利]一种窄光谱高功率半导体激光器耦合装置及方法无效

专利信息
申请号: 201210591412.8 申请日: 2012-12-28
公开(公告)号: CN103078253A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 蔡万绍;刘兴胜 申请(专利权)人: 西安炬光科技有限公司
主分类号: H01S5/40 分类号: H01S5/40;H01S5/14;G02B27/10;G02B6/32
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 陈广民
地址: 710119 陕西省西安市高*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 光谱 功率 半导体激光器 耦合 装置 方法
【权利要求书】:

1.窄光谱高功率半导体激光器耦合装置,其特征在于:包括依次设置的半导体激光器系统、光束原路反馈系统、聚焦透镜以及输出光纤;

所述半导体激光器系统由多个安装有快轴准直镜的半导体激光器或者由多个安装有快轴及慢轴准直镜的半导体激光器组成;

所述光束原路反馈系统包括沿激光出射方向依次设置的反射镜组以及位置可调的透射式体布拉格栅(VBG);所述反射镜组是由与所述多个半导体激光器一一对应的处于不同入射光路上的多个反射镜组成,所述多个反射镜或多个半导体激光器的位置可调;所有反射镜将来自相应半导体激光器的出射光反射后均入射至透射式体布拉格栅,形成透射光部分和反射光部分;聚焦透镜置于透射式体布拉格栅输出面端,对经透射式体布拉格栅透射输出的光进行聚焦;光纤置于聚焦透镜光输出端,对聚焦透镜输出的光进行光纤耦合。

2.根据权利要求1所述的窄光谱高功率半导体激光器耦合装置,其特征在于:所述多个半导体激光器,是多个单发光单元半导体激光器或多个多发光单元半导体激光器,或者两者的结合。

3.窄光谱高功率半导体激光器耦合方法,采用如权利要求1所述耦合装置,包括以下环节:

(1)多个半导体激光器出射的多路光经过准直后,入射到相应的多个反射镜上;

(2)对于某一个半导体激光器,经相应的反射镜首次反射后的光束入射到透射式体布拉格栅(VBG)上,形成反射光部分及透射光部分,调整透射式体布拉格栅(VBG)使得来自该半导体激光器的反射光部分沿原路返回,进入该半导体激光器腔内,形成腔外反馈系统;然后固定透射式体布拉格栅的位置及该半导体激光器的位置;

(3)对于其他各半导体激光器,分别调整各半导体激光器或者相应的反射镜的位置,使得来自其他各半导体激光器的光束入射到透射式体布拉格栅(VBG)后,相应的反射光部分均分别沿原路返回,进入相应的半导体激光器腔内,形成其他各个腔外反馈系统;

(4)所有半导体激光器入射到透射式体布拉格栅(VBG)形成的透射光部分均透射输出,经共同聚焦后耦合入光纤中,最终由光纤输出窄光谱高功率激光。

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