[发明专利]数据纠错系统、固态硬盘及数据纠错方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种数据纠错系统、固态硬盘及数据纠错方法。

背景技术

随着存储技术的发展，固态存储系统的应用也越来越广泛。在固态存储系统的存储介质在生命周期内不断的被擦除写入，其最小擦除单元为块(block)，典型地MLC NAND擦除次数为3000次，且每个Block内包含256个Page。而Page是固态存储系统内的最小编程单元，典型地每个Page包含(8192+448)字节，其中8192用来存储用户数据，448存储ECC纠错码以及系统管理数据。逻辑页(LPA)是固态硬盘内管理主机数据的最小单元，典型地大小为4KB，故一个物理页内最多可以放2个逻辑页。现有的固态存储系统大多对每个物理块采用固定的ECC纠错强度，但实际上固态存储系统在每个生命阶段其出错机率是不同的，对于固态的ECC纠错算法不能对所有阶段进行更好的纠错处理。

综上可知，现有的固态存储系统的纠错方法，在实际使用上显然存在不便与缺陷，所以有必要加以改进。

发明内容

针对上述的缺陷，本发明的目的在于提供一种数据纠错系统、固态硬盘及数据纠错方法，

为了实现上述目的，本发明提供一种数据纠错方法，所述方法包括：

记录每个物理块的擦除次数；

记录所述每个物理块的最大出错位数；

所述物理块接受擦除操作后，根据该物理块对应的所述擦除次数及最大出错位数计算新的纠错强度。

根据本发明的数据纠错方法，所述记录所述每个物理块的最大出错位数步骤包括：

若所述新的纠错强度反馈的纠错位数大于所述记录的最大出错位数，则更新所述物理块的最大出错位数。

根据本发明的数据纠错方法，所述方法还包括：

所述物理块内的物理页在写入逻辑页数据时，根据所述物理块的纠错强度，生成与所述物理页匹配的纠错校验码。

根据本发明的数据纠错方法，若储存所述纠错强度匹配的纠错校验码的物理页不能储存两个逻辑页，则将所述物理页内储存的逻辑页数量调整为一个。

本发明还提供一种数据纠错系统，包括：

第一记录模块，用于记录每个物理块的擦除次数；

第二记录模块，用于记录所述每个物理块的最大出错位数；

计算处理模块，用于所述物理块接受擦除操作后，根据该物理块对应的所述擦除次数及最大出错位数计算新的纠错强度。

根据本发明的数据纠错系统，所述第二记录模块进一步用于所述新的纠错强度反馈的纠错位数大于所述记录的最大出错位数时，更新所述物理块的最大出错位数。

根据本发明的数据纠错系统，所述计算处理模块包括生成子模块，用于所述物理块内的物理页在写入逻辑页数据时，根据所述物理块的纠错强度，生成与所述物理页匹配的纠错校验码。

根据本发明的数据纠错系统，所述计算处理模块包括调整子模块，用于储存所述纠错强度匹配的纠错校验码的物理页不能储存两个逻辑页时，将所述物理页内储存的逻辑页数量调整为一个。

本发明还提供一种包括上述数据纠错系统的固态硬盘。

本发明通过记录每个物理块的擦除次数，并在物理块有擦除时更新擦除次数，同时还记录所述每个物理块的最大出错位数，若所述新的纠错强度反馈的纠错位数大于所述记录的最大出错位数，则更新所述物理块的最大出错位数，当某物理块接受擦除操作后，系统根据该物理块对应的擦除次数及最大出错位数计算新的纠错强度。借此，本发明可以根据固态硬盘内各个物理块的状态，使用动态的ECC纠错强度，可以有效地保护固态硬盘内的数据，提升了固态硬盘的寿命。

附图说明

图1是本发明的数据纠错系统的结构示意图；

图2是本发明优选实施例的数据纠错系统的结构示意图；

图3是本发明一实施例的物理块的结构示意图；

图4是本发明另一实施例的物理块的结构示意图；

图5是本发明的数据纠错方法流程图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

参见图1，本发明提供了一种数据纠错系统，该系统100可应用于固态存储装置，并且所述系统100包括第一记录模块10、第二记录模块20及计算处理模块30，其中：