[发明专利]制造WOLED的方法、WOLED及显示设备

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种制造白光有机发光二极管（WOLED，White Organic Light Emitting Diode）的方法、一种WOLED以及一种显示设备。

背景技术

随着平面显示器技术的蓬勃发展，有机发光二极管(OLED，Organic LightEmitting Diode)与传统的液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)相比，除了更轻薄外，更具有自发光、低功率消耗、不需背光源、无视角限制及高反应速率等优良特性，已成为下一代平面显示器技术的主流。

为实现OLED显示器的全彩化，一种方式是通过白色有机发光二极管（WOLED，White Organic Light Emitting Diode)和彩色滤光层（CF，ColorFilter）叠加来实现。其中，WOLED和CF层叠加过程不需要精准的掩膜工艺，就可以实现OLED显示器的高分辨率。如图1所示，现有技术中在分别形成包含薄膜晶体管（TFT，Thin Film Transistor）阵列基板的WOLED发光层和包含有边缘保护层PDL的彩色滤光层之后，将形成的TFT阵列基板和CF层进行对准，压合，从而形成WOLED显示装置。

现有技术中，在进行TFT阵列基板和CF层贴合处理时，CF层和WOLED发光层之间会存在一定数值的缝隙，并且由于WOLED发光层具有自发光的光源特性，如图1所示，有机发光单元发出的光，在侧向到达彩膜基板的过程中，该缝隙会使得制作的WOLED显示器侧向漏光，从而造成产品混色，进而影响显示装置的质量。

发明内容

本发明实施例提供了制造WOLED的方法、WOLED及显示设备，能够较好地避免现有技术中存在的WOLED漏光现象，提高显示设备的图像显示质量。

一种制造白光有机发光二极管WOLED的方法，基于构图工艺在基板上形成包含阳极阵列的阵列基板，以及基于构图工艺形成彩色滤光基板，包括：在所述阵列基板上依次沉积透明有机薄膜和反射金属薄膜；图案化所述反射金属薄膜去除所述阳极电极上方的金属薄膜；以所述图案化后的金属薄膜为掩膜刻蚀所述透明有机薄膜，暴露出所述阳极电极，形成像素定义图案；在形成像素定义图案的阵列基板上依次蒸镀有机发光单元和阴极；将包含有机发光单元和阴极的阵列基板和彩色滤光基板进行贴合，形成WOLED显示器。

一种有白光有机发光二极管WOLED，包括相对设置的阵列基板和彩色滤光基板，包括：所述阵列基板包括阳极阵列以及定义像素区域的像素定义层；覆盖所述像素定义层和阳极电极的有机发光层；覆盖所述有机发光层的阴极层；所述有机发光层与所述像素定义层之间设置有金属反射层。

一种显示设备，包含上述白光有机发光二极管WOLED。

采用上述技术方案，在包含阳极阵列的阵列基板上依次沉积透明有机薄膜和反射金属薄膜，并图案化所述反射金属薄膜，以及以图案化后的金属薄膜为掩膜刻蚀沉积的透明有机薄膜，形成像素定义图案，并依次蒸镀有机发光单元和阴极，形成的阵列基板和彩色滤光基板进行贴合，形成WOLED，由于在阵列基板上增加了反射金属薄膜，在进行贴合时，阵列基板和彩膜基板之间虽然仍旧存在空隙，但是WOLED发光层自身发射出的光源，会被金属反射层反射回来，因此能够较好地避免现有技术中存在的WOLED显示器漏光现象，提高显示装置的图像显示质量。

附图说明

图1为现有技术中，提出的通过WOLED和CF压合形成的WOLED显示装置剖面图；

图2a为本发明实施例中，提出的WOLED显示装置结构组成示意图；

图2b~图2d为本发明实施例中，提出的形成的包含阳极阵列的阵列基板的结构组成示意图；

图3a为本发明实施例中，提出的制造WOLED显示装置方法流程图；

图3b为本发明实施例中，提出的阵列基板形成过程示意图；

图3c为本发明实施例中，提出的沉积反射金属薄膜的阵列基板结构组成示意图；

图3d为本发明实施例中，提出的形成反射金属层的阵列基板结构组成示意图；

图3e为本发明实施例中，提出的像素定义层图案组成示意图；

图3f为本发明实施例中，提出的蒸镀阴极后的阵列基板结构组成示意图；

图4为本发明实施例中，提出的WOLED显示装置结构组成示意图；

图5为本发明实施例中，提出的增加金属反射层的WOLED显示装置工作原理示意图。

具体实施方式