[发明专利]半导体器件制造系统以及半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造系统，其制造在端子接合有焊接凸块的半导体器件，该半导体器件制造系统的特征在于，包括：

还原装置，其具有第一处理室，在该第一处理室内将所述端子的表面的氧化膜还原；和

接合装置，其与所述还原装置分别设置，并且具有与所述第一处理室隔离的第二处理室，在该第二处理室中进行将所述焊接凸块与所述端子的接合。

2.如权利要求1所述的半导体器件制造系统，其特征在于：

所述还原装置和所述接合装置相互连接。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件制造系统，其特征在于：

所述还原装置具有向所述第一处理室内供给氮的第一氮供给装置，所述接合装置具有向所述第二处理室内供给氮的第二氮供给装置。

4.如权利要求1或2所述的半导体器件制造系统，其特征在于：

所述还原装置具有：对所述第一处理室内进行减压的减压装置；配置在所述第一处理室内，载置所述半导体器件的载置台；和以与该载置台相对的方式向所述第一处理室内突出的按压装置，

该按压装置具有：

筒状部，其内部向大气开放，并将所述内部与所述第一处理室内分隔，并且朝向所述载置台自由地伸缩；和

抵接部，其设置于该筒状部的所述载置台侧的前端，当所述筒状部伸长时，与载置于所述载置台的半导体器件抵接。

5.如权利要求1或2所述的半导体器件制造系统，其特征在于：

所述还原装置具备向所述第一处理室内供给羧酸的羧酸供给装置。

6.如权利要求5所述的半导体器件制造系统，其特征在于：

所述羧酸为甲酸。

7.一种半导体器件制造方法，其为在半导体器件制造系统中执行的半导体器件制造方法，其特征在于：

所述半导体器件制造系统制造在端子接合有焊接凸块的半导体器件，所述半导体器件制造系统具备：具有第一处理室，在该第一处理室内将所述端子的表面的氧化膜还原的还原装置；和与该还原装置分别设置并具有与所述第一处理室隔离的第二处理室，在该第二处理室内进行将所述焊接凸块与所述端子接合的接合装置，

在所述还原装置中对一个半导体器件的所述端子的表面的氧化膜进行还原期间，在所述接合装置中将另一个半导体器件的所述端子和所述焊接凸块进行接合。

8.如权利要求7所述的半导体器件制造方法，其特征在于：

在将所述半导体器件从所述还原装置向所述接合装置移送时，将所述第一处理室内和所述第二处理室内用氮充填。

9.如权利要求7或8所述的半导体器件制造方法，其特征在于：

在所述还原装置中，在对搬入有所述半导体器件的所述第一处理室内进行减压后，向该第一处理室内供给羧酸。

10.如权利要求9所述的半导体器件制造方法，其特征在于：

所述羧酸为甲酸。

11.如权利要求7或8所述的半导体器件制造方法，其特征在于：

在所述接合装置中，在将搬入到所述第二处理室内的所述半导体器件的所述焊接凸块熔融并接合至所述端子时，对所述第二处理室内进行减压。