[发明专利]电流绝缘的轴承部件及轴承

权利要求书

1.一种钢的轴承部件(12)比如滚动元件轴承的直线轴承和滑动轴承的部件，例如选自包括轴承座圈、滚动元件比如锥形滚子、桶状滚子、针状滚子、轴承滚珠和滚动元件笼的组的部件，所述轴承部件在所述部件(12)的至少一个表面区域(110)上具有通过PVD(物理气相沉积)方法、通过CVD(化学气相沉积)方法或通过PECVD(等离子体增强的化学气相沉积)方法(但排除ALD方法或等离子体增强的ALD方法)应用的具有高电流绝缘性能的至少一个层(112；112，112′；112，112′；112″)，所述至少一个层(112；112，112′；112，112′；112″)包括选自包括Al2O3层、Ta_xO_y层、Si_xO_y层、包括前述氧化物中的两种或更多种的混合层、包括前述氧化物中的两种或更多种的交替层的多层结构及DLC层比如ta-C层的材料的组的非传导性氧化物层，存在包括通过ALD(原子层沉积)方法沉积在具有高硬度和高电流绝缘性能的所述至少一个层上的至少一个材料层的至少一个ALD层(114)，所述ALD层本身具有高电流绝缘性能且包括选自所述材料的组的材料或层结构。

2.根据权利要求1所述的轴承部件，其中通过PVD(物理气相沉积)方法、通过CVD(化学气相沉积)方法或通过PECVD(等离子体增强的化学气相沉积)方法(但排除ALD方法或等离子体增强的ALD方法)应用的所述至少一个层的所述组成至少基本上与通过所述ALD方法沉积的所述层的所述组成相同。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的轴承部件，其中通过PVD(物理气相沉积)方法、通过CVD(化学气相沉积)方法或通过PECVD(等离子体增强的化学气相沉积)方法(但排除ALD方法或等离子体增强的ALD方法)应用的所述至少一个层具有在0.5微米-4微米的范围内的厚度，且所述ALD层具有在1nm-1000nm的范围内，尤其是10nm-50nm的厚度。

4.根据前述权利要求中任一项所述的轴承部件，其中由其制成所述制品的所述钢是马氏体等级的钢。

5.根据任意权利要求4所述的轴承部件，其中所述马氏体等级的钢是轴承钢和可冷加工的钢中的至少一种。

6.根据前述权利要求4和5中任一项所述的轴承部件，其中所述马氏体等级的钢是100Cr6、100CrMn6、16MnCr5、C80或X30CrMoN 151，或根据Din：1.4108或SAE：AMS5898的钢中的一种。

7.根据前述权利要求中任一项所述的轴承部件，其中通过PVD(物理气相沉积)方法、通过CVD(化学气相沉积)方法或通过PECVD(等离子体增强的化学气相沉积)方法(但排除ALD方法或等离子体增强的ALD方法)应用的具有高硬度和高电流绝缘性能的所述至少一个层被设置有额外的PVD层，该额外的PVD层通过电弧(过滤电弧、矩形源、圆形源、激光电弧、圆柱形源)、通过磁控管溅射、反应性磁控管溅射、或通过双磁控管溅射(矩形源、圆形源、圆柱形源)沉积，前述中任一种在所述ALD层的所述沉积之前任选地具有等离子体增强。

8.一种包括根据前述权利要求中任一项所述的轴承部件的轴承。

9.一种包括根据前述权利要求1-7中任一项所述的轴承部件或根据权利要求8所述的轴承的机器。