[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是指一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

现有技术中，在制造完成阵列基板后，需要对阵列基板的栅扫描线输入信号以进行阵列测试。在FFS（边缘场开关）型阵列基板的制造过程中，如图1所示，通常在形成栅电极和栅扫描线1的同时，利用栅金属层3形成将各条栅扫描线1连接在一起的阵列测试的短路连接线（Array Test shorting bar）2。但是在接下来的栅绝缘层沉积工艺中，在CVD（Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积）腔内容易产生静电，发生栅扫描线1之间的静电放电现象会把短路连接线2烧断，影响到阵列测试的效果。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，能够保证短路连接线与栅扫描线之间的连接，满足阵列测试的需要。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种阵列基板的制造方法，包括：

在基板上沉积栅金属层，形成由所述栅金属层组成的栅扫描线和短路连接线，所述短路连接线与所述栅扫描线之间的连接为断开的；

在形成栅绝缘层之后，在对应所述短路连接线和所述栅扫描线的位置形成过孔；

沉积导电层，所述导电层通过所述过孔连接所述短路连接线和所述栅扫描线。

进一步地，所述在基板上沉积栅金属层之前还包括：

在基板沉积第一透明导电层，形成由所述第一透明导电层组成的用以连接所述短路连接线和所述栅扫描线的连接结构。

进一步地，所述连接结构呈方波形。

进一步地，所述在形成栅绝缘层之后，在对应所述短路连接线和所述栅扫描线的位置形成过孔，沉积导电层，所述导电层通过所述过孔连接所述短路连接线和所述栅扫描线包括：

在基板上沉积数据金属层之前，在对应所述短路连接线和所述栅扫描线的位置形成过孔；

在形成有所述过孔的基板上沉积数据金属层，所述数据金属层通过所述过孔连接所述短路连接线和所述栅扫描线。

进一步地，所述在形成栅绝缘层之后，在对应所述短路连接线和所述栅扫描线的位置形成过孔，沉积导电层，所述导电层通过所述过孔连接所述短路连接线和所述栅扫描线包括：

在基板上形成钝化层之后，在对应所述短路连接线和所述栅扫描线的位置形成过孔；

在形成有所述过孔的基板上沉积第二透明导电层，所述第二透明导电层通过所述过孔连接所述短路连接线和所述栅扫描线。

本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：

由栅金属层形成的栅扫描线和短路连接线，其中，对应所述短路连接线和所述栅扫描线的位置形成有过孔，所述短路连接线和所述栅扫描线通过所述过孔上沉积的导电层连接。

进一步地，所述阵列基板还包括由第一透明导电层组成的用以连接所述短路连接线和所述栅扫描线的连接结构。

进一步地，所述连接结构呈方波形。

进一步地，所述过孔贯穿阵列基板的栅绝缘层，所述导电层为用以形成源电极和漏电极的数据金属层。

进一步地，所述过孔贯穿阵列基板的栅绝缘层和钝化层，所述导电层为用以形成像素电极的第二透明导电层。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。

本发明的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，在由栅金属层形成栅扫描线和短路连接线时，短路连接线与栅扫描线之间的连接为断开的，之后在对应所述短路连接线和所述栅扫描线的位置形成过孔，通过后续工艺沉积的导电层连接短路连接线和栅扫描线，这样可以保证短路连接线与栅扫描线之间的连接，满足阵列测试的需要。

附图说明

图1为现有FFS型阵列基板中短路连接线与栅扫描线的连接示意图；

图2为本发明实施例形成连接结构的示意图；

图3为本发明实施例形成短路连接线和栅扫描线的示意图；

图4为本发明实施例形成过孔的示意图；

图5为本发明实施例形成连接短路连接线和栅扫描线的导电层的示意图。

附图标记

1 栅扫描线

2 短路连接线

3 栅金属层

4 连接结构

5 过孔

6 导电层

具体实施方式

为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。