[发明专利]一种超声波辅助剥离石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201210593885.1 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103065939A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 柴正;王东;宁静;韩砀;闫景东;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超声波 辅助 剥离 石墨 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种超声波辅助剥离石墨烯的方法，其特征在于，该方法将高定向热解石墨固定在上下两个基片之间，利用超声波对石墨烯进行横向振动，使石墨层间通过范德瓦尔斯力形成的键断裂，分离出石墨烯。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法通过调节超声波的功率、振动时间及温度提高石墨烯的剥离效率和产品质量。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法的具体实现步骤为：
步骤一，将高定向热解石墨（HOPG）用双面胶带固定在上下两个基片之间；
步骤二，将固定的高定向热解石墨（HOPG）放入超声波发生器，浸于去离子水中；
步骤三，启动超声波发生器，进行横向振动；
步骤四，将高定向热解石墨（HOPG）与上基片分离，并用双面胶带固定在新的上基片之下；
步骤五，重复以上过程5~10次，直至得到石墨烯；
步骤六，用分析纯的丙酮去除石墨烯表面残余胶带成分。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤二中，将固定的高定向热解石墨（HOPG）放入超声波发生器，浸于去离子水中时，调节超声波的功率0.1~2×105J、时间1~50min、温度10~40℃。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法所获得的高定向热解石墨（HOPG）自下而上依次为下基片、双面胶带、HOPG、双面胶带、上基片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
