[发明专利]一种薄膜混合集成电路电镀方法

权利要求书

1.一种薄膜混合集成电路电镀方法，其特征在于，包括以下步骤：

A：在基片上磁控溅射沉积氮化钽薄膜电阻，采用高纯度钽靶，溅射反应气体为氮气和氩气；

B：在氮化钽薄膜上依次溅射钛钨薄膜和金薄膜，使用钛钨靶和高纯度金靶，溅射反应气体为氩气；

C：用光刻胶做掩膜，用碘和碘化钾混合水溶液配置的金腐蚀液刻蚀掉设计图形之外不需要的金，用钛钨腐蚀液湿法刻蚀掉设计图形之外不需要的钛钨薄膜；

D：用氢氧化钾溶液去除光刻胶后，用高纯水冲洗后，再用分析纯级丙酮溶液擦拭；

E: 采用热氧化的方法在氮化钽薄膜裸露的表面生成氧化薄膜后，进行电镀并最终刻蚀出电路图形；

F：将清洗干净的基片用真空干燥箱预定温度下热氧化，使氮化钽表面生成一层氧化钽薄膜；

G：在室温下分别经过除油剂除油处理和高纯水清洗，然后再经过10％的盐酸浸酸活化和高纯水清洗；

H：取预定电流密度的电流进行电镀，在电路上沉积一层金，电镀结束后用高纯水清洗60s，然后沸水中水煮；

I：用氟化铵和硝酸混合的腐蚀液腐蚀掉氧化钽和氮化钽得到设计电路图形。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤A中，所述氮气和氩气分压比为N2:Ar＝1:35；所述溅射氮化钽薄膜的方阻值为低于设计值的5∽15Ω/□。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤B中，所述钛钨薄膜为0.05微米；所述金薄膜为0.2微米；所述氩气的气体的流量为70sccm。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤C中，所述金腐蚀液中碘含量为60g/L及碘化钾含量为200g/L。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤C中，所述钛钨腐蚀液为30％的双氧水溶液，腐蚀时间为10∽12min。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤D中，所述氢氧化钾溶液为10%；所述高纯水冲洗时间为60s。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤F中，所述真空干燥箱预定温度设置在200℃∽280℃之间；所述氧化时间为180min∽360min。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤G中，所述除油剂除油处理时间为30s∽60s；所述高纯水清洗时间为60s；所述盐酸浸酸活化时间为30s∽60s。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述步骤H中，所述预定电流密度为0.1∽0.3A/dm2；所述水煮时间为10min。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述步骤I中，所述氟化铵和所述硝酸重量比为1:5。