[发明专利]一种P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池

权利要求书

1.一种P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池，其特征在于：包括P型硅衬底，P型硅衬底上下两个表面上均设有绒面，在P型硅衬底上表面的绒面上进行高温磷扩散掺杂，并自下而上依次形成隔离层I、N型掺杂层、隔离层I和N-型掺杂层四层结构；最上一层再用PECVD技术实现SiN减反射膜；其中要在最后实行埋电极与输出极的制备；P型硅衬底下表面绒面上进行背面的高温硼扩散掺杂，自上而下依次形成隔离层I、P型掺杂层、P⁺型掺杂层的三层结构。

2.根据权利要求1所述的P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池，其特征在于：所述P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池，其最顶层的N^-型掺杂层上再印刷前电极后覆盖有EVA层，用激光刻槽、清洗，实现银电极引出线；其最底层的的IPP⁺结上实现银背电极，再覆以EVA。或直接用TCO、导电玻璃或导电薄膜作为透光又可支撑的背电极；正面的埋电极有两种，一是正对背电极的正上方位置制作埋电极，二是在正上方做常规的输出电极，在其硅片边缘离边5毫米处做埋电极，埋深是80-90微米。

3.根据权利要求2所述的P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池，其特征在于：所述前电极、背电极和埋电极均为银电极，埋电极为一种连续战壕式或长方形段壕式；埋电极的侧面与硅片上半部绝缘，要求其方阻低于30Ω。

4.根据权利要求1所述的P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池，其特征在于：高温掺杂的均匀度要求不大于3％的误差。