[发明专利]一种N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片

权利要求书

1.一种N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其特征在于：包括N型硅衬底，N型硅衬底上表面实现硼磷分层梯度扩散掺杂，并用隔离层I将各层隔开，形成IP⁺IN结构，背面直接清洗并用磷扩散，再低温沉积P型BWB有机晶体。磷扩散加有机晶体BWB(P型)分层沉积构成IN⁺P结构。

2.根据权利要求1所述的N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其特征在于：所述N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其最顶层的N型掺杂层上再印刷前电极后覆盖有EVA层，用激光刻槽、清洗，实现银选择电极引出线；其最底层的BWB有机晶体上再实现银烧结背电极，再覆以EVA。或直接用TCO(氧化物薄膜)、导电玻璃或导电薄膜作为透光又可支撑的背电极或直接耦合TCO导电玻璃；正面的埋电极有两种，一是正对背电极的正上方位置制作埋电极，二是在正上方做常规的输出电极，在其硅片边缘离边5毫米(mm)处做埋电极，埋深是80-90微米(μm)。

3.根据权利要求2所述的N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其特征在于：所述前电极、背电极和埋电极均为银电极，埋电极技术是一种连续战壕式的，或是长方形段壕。埋电极的侧面与硅片上半部绝缘，要求其方阻为100Ω。

4.根据权利要求1所述的N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其特征在于：硼磷扩散掺杂的均匀度要求不大于±3％的误差。

5.根据权利要求1所述的N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其特征在于：所述BWB的成晶方式为有机试剂低温物理溶解成晶或者溅射成晶。