[发明专利]减少镝或铽用量的制造ND‑FE‑B烧结磁体的方法有效
申请号: | 201210595869.6 | 申请日: | 2012-09-30 |
公开(公告)号: | CN103151159B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | Y·王 | 申请(专利权)人: | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/057;B22F1/02;B22F3/10;B22F9/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 李连涛,杨思捷 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 减少 用量 制造 nd fe 烧结 磁体 方法 | ||
1.制造永磁体的方法,所述永磁体在其上具有非均匀分布的镝或铽中的至少一种,所述方法包括:
提供包含钕、铁和硼的第一材料;
提供包含镝和铽的至少一种的第二材料,所述镝和铽的至少一种为金属合金的形式;
以机械研磨方式结合所述第一和第二材料,使得所述第一材料基本上涂布以所述第二材料层;
将所述第一和第二材料成形为预定形状;和
烧结所述预定形状,使得形成具有所述第二材料在所述第一材料表面上的非均匀分布的永磁体。
2.权利要求1的方法,其中所述第二材料主要沿着所述第一材料内的晶粒边界形成。
3.权利要求2的方法,其中所述第一材料为粉末基的并且所述第二材料为薄片基的,使得所述第二材料通过所述机械研磨操作包覆所述第一材料。
4.权利要求3的方法,进一步包括筛除没有形成所述涂层的所述薄片基材料的过量部分。
5.权利要求1的方法,其中所述结合包括使所述第一和第二材料中的至少一种塑性变形。
6.权利要求1的方法,其中所述永磁体具有大约3wt.%和大约40wt.%之间的所述镝或铽的至少一种的晶粒边界表面浓度。
7.权利要求1的方法,其中在大约850℃到1100℃的温度范围内进行所述烧结,并且加热速率在大约2℃/分钟到6℃/分钟之间,并且烧结时间为大约1-10小时。
8.制造钕基永磁体的方法,所述永磁体具有不均匀分散的镝或铽中的至少一种,所述方法包括:
机械研磨包含钕、铁和硼的粉末基材料和包含镝和铽中的至少一种的薄片基材料,使得所述粉末基材料基本上涂布以所述薄片基材料层;
从所述经涂布的粉末基材料中筛除过量的所述薄片基材料;
将该第一和第二材料成形为预定形状;和
烧结所述预定形状,使得形成其中所述薄片基材料以非均匀的方式分布在所述粉末基材料表面上的永磁体。
9.制造钕基永磁体的方法,所述永磁体具有不均匀分布的镝或铽中的至少一种,所述方法包括:
机械研磨包含钕、铁和硼的第一粉末基材料和包含镝和铽的至少一种的第二粉末基材料,使得所述第一粉末基材料基本上涂布以第二粉末基材料层;
将该第一和第二材料成形为预定形状;和
烧结所述预定形状,使得形成其中所述第二粉末基材料以非均匀的方式分布在所述第一粉末基材料表面上的永磁体。
10.权利要求9的方法,进一步包括通过布置与所述磨机的壳体和所述许多混合球的至少一种热连通的热交换流体来控制所述机械研磨的温度。
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