[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201210599069.1 | 申请日: | 2012-12-25 |
公开(公告)号: | CN103378313A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 赵正植;赵昭英 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;张旭东 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置OLED,所述OLED包括:
基板;
第一阳极层,其设置在所述基板上,并且包括多个第一突起;
第二阳极层,其设置在所述第一阳极层上,并且包括多个第二突起;
有机发射层,其形成在所述第二阳极层上;以及
阴极层,其形成在所述有机发射层上。
2.根据权利要求1所述的OLED,其中,所述第一阳极层和所述第二阳极层用不同的材料形成。
3.根据权利要求1所述的OLED,其中,所述第一阳极层包括锡氧化物或锌氧化物,所述第二阳极层包括铟锡氧化物或铟锌氧化物。
4.根据权利要求1所述的OLED,其中,所述第一突起的宽度W1和所述第二突起的宽度W2分别不同,和/或所述第一突起的厚度T1和所述第二突起的厚度T2分别不同。
5.根据权利要求1所述的OLED,其中,所述第一阳极层具有大约至大约的厚度T1,所述第一突起具有大约至大约的宽度W1,所述第二阳极层具有大约至大约的厚度T2,所述第二突起具有大约至大约的宽度W2。
6.根据权利要求1所述的OLED,其中,所述第二突起的宽度W2比所述第一突起的宽度W1小大约2倍至大约500倍。
7.根据权利要求1所述的OLED,其中,所述阴极层包括银或铝。
8.根据权利要求1所述的OLED,其中,所述基板包括多个第三突起。
9.根据权利要求1所述的OLED,所述基板还包括设置在所述基板上的低折射层,其中,所述低折射层包括与所述第一阳极层或所述第二阳极层接触的多个第四突起。
10.一种制造有机发光显示装置OLED的方法,所述方法包括以下步骤:
在基板上形成包括多个第一突起的第一阳极层;
在所述第一阳极层上形成包括多个第二突起的第二阳极层;
在所述第二阳极层上形成有机发射层;以及
在所述有机发射层上形成阴极层。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述第一阳极层和所述第二阳极层用不同的材料形成。
12.根据权利要求10所述的方法,其中,所述第一阳极层包括锡氧化物或锌氧化物,并且所述第二阳极层包括铟锡氧化物和/或铟锌氧化物。
13.根据权利要求10所述的方法,其中,所述第一突起的宽度W1和所述第二突起的宽度W2分别不同,和/或所述第一突起的厚度T1和所述第二突起的厚度T2分别不同。
14.根据权利要求10所述的方法,其中,所述第一阳极层具有大约至大约的厚度T1,所述第一突起具有大约至大约的宽度W1,所述第二阳极层具有大约至大约的厚度T2,所述第二突起具有大约至大约的宽度W2。
15.根据权利要求10所述的方法,其中,所述第二突起的宽度W2比所述第一突起的宽度W1小大约2倍至大约500倍。
16.根据权利要求10所述的方法,其中,所述基板包括多个第三突起。
17.根据权利要求10所述的方法,所述方法还包括形成设置在所述基板上的低折射层,其中,所述低折射层包括与所述第一阳极层或所述第二阳极层接触的多个第四突起。
18.根据权利要求10所述的方法,其中,通过溅射方法形成所述第一阳极层,其中,所述形成所述第一阳极层的步骤包括在多个柱状体之间的空间在所述多个柱状体中生长所述第一阳极层,并且填充所述空间。
19.根据权利要求18所述的方法,其中,所述方法还包括蚀刻或者激光工序,以形成所述多个第三突起。
20.根据权利要求10所述的方法,其中,在形成第一突起的过程中,所述基板的温度被保持为与溅射材料的熔点近似,以逐渐降低所述温度。
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