[发明专利]集成电路封装以及封装方法在审
申请号: | 201210599141.0 | 申请日: | 2012-12-15 |
公开(公告)号: | CN103165476A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | F·德赫;G·迈耶-贝格 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/768;H01L21/60;H01L23/34;H01L23/538;H01L23/488;H05K1/18;H05K3/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马永利;李浩 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 封装 以及 方法 | ||
1.一种集成电路封装方法,包括:
由限定电路互连的连续建立层制造封装模块;
在所述封装模块的顶侧上形成腔;
将芯片的金属化后侧附着到金属层上,所述芯片具有带有至少一个前部触点的前侧;
将所述芯片布置在所述腔中,使得至少一个前部触点被电连接到所述封装模块的电路互连中的至少一个;以及
将附着到所述芯片的所述金属层耦合到所述封装模块的顶侧上。
2.如权利要求1所述的集成电路封装方法,其中,将芯片的金属化后侧附着到金属层上是利用高温工艺完成的。
3.如权利要求1所述的集成电路封装方法,其中,将芯片的金属化后侧附着到金属层上是利用扩散焊接工艺完成的。
4.如权利要求1所述的集成电路封装方法,其中,所述金属层是金属箔层。
5.如权利要求1所述的集成电路封装方法,其中,所述芯片的后侧具有低欧姆触点。
6.如权利要求5所述的集成电路封装方法,其中,电流在所述低欧姆触点和所述芯片的至少一个前部触点之间垂直地流动。
7.如权利要求6所述的集成电路封装方法,其中,所述低欧姆触点被电连接到所述金属层,并且通过其被连接到在所述封装模块中形成的一个或多个通路。
8.如权利要求1所述的集成电路封装方法,其中,所述金属层具有导热特性。
9.如权利要求8所述的集成电路封装方法,还包括将所述金属层附着到热沉。
10.如权利要求1所述的集成电路封装方法,其中,所述芯片还包括直通硅通路。
11.如权利要求1所述的集成电路封装方法,其中,所述金属层通过隔离中间层被耦合到所述芯片的后侧或者所述封装模块的顶侧。
12.一种集成电路封装,包括:
由限定电路互连的连续建立层形成的封装模块;
在所述封装模块的顶侧上形成的腔;
具有前侧并且具有金属化后侧的芯片,所述前侧具有至少一个前部触点;以及
附着到所述芯片的后侧的至少一部分的金属层,其中所述芯片被布置在所述腔中,使得至少一个前部触点被电连接到所述封装模块的电路互连中的至少一个,并且所述金属层覆盖所述封装模块的顶侧的至少一部分。
13.如权利要求12所述的集成电路封装,其中,所述金属层是金属箔层。
14.如权利要求12所述的集成电路封装,其中,所述芯片的后侧具有低欧姆触点。
15.如权利要求14所述的集成电路封装,其中,电流在所述低欧姆触点和所述芯片的至少一个前部触点之间垂直地流动。
16.如权利要求14所述的集成电路封装,其中,所述低欧姆触点被电连接到所述金属层,并且通过其被连接到在所述封装模块中形成的一个或多个通路。
17.如权利要求12所述的集成电路封装,其中,所述金属层具有促进热扩散的导热特性。
18.如权利要求17所述的集成电路封装,其中,所述金属层被附着到热沉。
19.如权利要求12所述的集成电路封装,其中,所述芯片还包括直通硅通路。
20.如权利要求12所述的集成电路封装,其中,所述金属层通过隔离中间层被耦合到所述芯片的后侧或者所述封装模块的顶侧。
21.一种安装好的集成电路封装,包括:
印刷电路板,其能够让集成电路封装安装在其上;以及
在其上安装成反向安装配置的集成电路封装,所述集成电路封装包括:
由限定电路互连的连续建立层形成的封装模块;
在所述封装模块的顶侧上形成的腔;
具有前侧并且具有金属化后侧的芯片,所述前侧具有至少一个前部触点;以及
附着到所述芯片的后侧的至少一部分的金属层,其中所述芯片被布置在所述腔中,使得至少一个前部触点被电连接到所述封装模块的电路互连中的至少一个,并且所述金属层覆盖所述封装模块的顶侧的至少一部分;
其中反向安装配置是其中所述芯片的金属化后侧面朝所述印刷电路板并且所述芯片的前侧背朝所述印刷电路板。
22.一种安装好的集成电路封装,包括:
印刷电路板,其能够让集成电路封装安装在其上;以及
在其上安装成反向安装配置的集成电路封装,所述集成电路封装包括:
由限定电路互连的连续建立层形成的封装模块;
在所述封装模块的顶侧上形成的腔;
具有前侧并且具有后侧的芯片,所述前侧具有至少一个前部触点,所述芯片被布置在所述腔中,使得至少一个前部触点被电连接到所述封装模块的电路互连中的至少一个;以及
耦合到所述芯片的后侧的顶层,其覆盖所述芯片和所述封装模块的顶侧的至少一部分;
其中反向安装配置是其中所述芯片的金属化后侧面朝所述印刷电路板并且所述芯片的前侧背朝所述印刷电路板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造