[实用新型]离子迁移管信号提取电路以及离子迁移探测器

权利要求书

1.一种离子迁移管信号提取电路，其特征在于：包括设置有信号引入端以及信号引出端的隔直通交模块，其中：

所述信号引入端与离子迁移管内的法拉第盘电连接；

所述隔直通交模块用于去除由所述信号引入端从所述法拉第盘上引出的电压中的直流电压，并将由所述信号引入端从所述法拉第盘上引出的电压中的脉动电压从所述信号引出端输出。

2.根据权利要求1所述的离子迁移管信号提取电路，其特征在于：所述隔直通交模块包括至少两个电容，所述电容之间互相串联或并联，所述信号引入端与所述电容的正极或负极其中之一电连接，所述信号引出端与所述电容的正极或负极其中另一电连接。

3.根据权利要求2所述的离子迁移管信号提取电路，其特征在于：至少两个所述电容互相串联，每个所述电容的容值为5nf～20nf。

4.一种离子迁移探测器，其特征在于，包括：

离子迁移管；

如权利要求1至3中任何一项所述的离子迁移管信号提取电路，所述离子迁移管信号提取电路内的所述信号引入端与所述离子迁移管内的法拉第盘电连接；

脉动电压处理电路，所述脉动电压处理电路与所述信号引出端电连接，所述脉动电压处理电路用于将所述信号引出端输出的所述脉动电压进行放大和/或模数转换。

5.根据权利要求4所述的离子迁移探测器，其特征在于：所述离子迁移管内还设置有外屏蔽罩以及内屏蔽罩，其中：

所述法拉第盘包括位置相反的第一侧以及第二侧，所述第一侧用于接收离子；

所述外屏蔽罩罩设于所述法拉第盘外，且所述外屏蔽罩内凹的部分与所述法拉第盘的第二侧位置相对；

所述法拉第盘通过连接芯线与第一同轴电缆的内芯电连接；

所述内屏蔽罩位于所述外屏蔽罩内，所述内屏蔽罩的内凹的部分与所述法拉第盘的第二侧位置相对且罩设于所述连接芯线之外；

所述第一同轴电缆的内芯分别与所述信号引入端以及所述离子迁移管的第一电源端并联电连接；

所述第一同轴电缆的第一外导体的两端分别与所述外屏蔽罩以及所述离子迁移管的第二电源端电连接；

所述第一同轴电缆的第二外导体的两端分别与所述内屏蔽罩以及所述第一电源端电连接。

6.根据权利要求5所述的离子迁移探测器，其特征在于：所述离子迁移管的第一电源端与所述第一同轴电缆的内芯之间还串联有至少一个电阻；

和/或，所述离子迁移管的第一电源端与所述第一同轴电缆的内芯、所述第一同轴电缆的第二外导体之间还与至少一个滤波电容的其中一极电连接，每个所述滤波电容的其中另一极接地；

和/或，所述离子迁移管的第一电源端以及第二电源端分别通过两芯线缆的两条芯线与不同的高压电源电连接，所述两芯线缆的外皮屏蔽层接地。

7.根据权利要求6所述的离子迁移探测器，其特征在于：所述电阻的阻值为400MΩ～600MΩ；

和/或，所述信号引出端与第二同轴电缆电连接，且从所述信号引出端输出的所述脉动电压从所述第二同轴电缆的内芯输出，所述第二同轴电缆的外导体接地。

8.根据权利要求7所述的离子迁移探测器，其特征在于：所述第一同轴电缆以及所述第二同轴电缆均为三同轴电缆，所述第一外导体为三同轴电缆的外皮屏蔽层，所述第二外导体为三同轴电缆的内皮信号层。

9.根据权利要求4所述的离子迁移探测器，其特征在于：所述离子迁移管信号提取电路设置于电路板上，且其与所述电路板均灌封于灌封胶内，所述灌封胶之外还覆盖有接地的金属屏蔽罩；

和/或，所述离子迁移探测器为具有正负离子迁移区的双模式离子迁移探测器。