[实用新型]一种硅光电池有效
| 申请号： | 201220008543.4 | 申请日： | 2012-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN202423351U | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 张有润;吴浩然;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/052 | 分类号： | H01L31/052;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅光电池，包括：背面P+欧姆接触区、P-基区和N+发射区，所述背面P+欧姆接触区、P-基区和N+发射区组成pin结构，其特征在于，还包括介质埋层，所述介质埋层位于P-基区内部，耗尽区外部，并且介质埋层不隔断P-基区。
2.根据权利要求1所述的硅光电池，其特征在于，所述的硅光电池还包括位于硅光电池顶部的减反射层，所述减反射层覆盖于N+发射区之上。
3.根据权利要求1或2所述的硅光电池，其特征在于，所述介质埋层具体为二氧化硅。
4.根据权利要求1或2所述的硅光电池，其特征在于，所述介质埋层的厚度为其中，λ为入射光波长，n为介质埋层折射率，β为光进入介质埋层的入射角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
