[实用新型]高精度低功耗磁场测量电路有效
申请号: | 201220009868.4 | 申请日: | 2012-01-11 |
公开(公告)号: | CN202421481U | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 赵昌苗;赵伟国;陈敢 | 申请(专利权)人: | 杭州宏昌电声磁技术开发有限公司 |
主分类号: | G01R33/07 | 分类号: | G01R33/07 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 310027 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高精度 功耗 磁场 测量 电路 | ||
1.高精度低功耗磁场测量电路,其特征在于:包括数字传感器模块,电源管理电路,低电压检测电路,单片机和LCD显示模块;数字传感器模块通过第一I2C接口与单片机连接,电源管理电路为数字传感器模块和单片机供电,低电压检测电路和LCD显示模块分别与单片机连接;
所述的数字传感器模块包括间歇供电恒流源、霍尔芯片、数据处理单元和第二I2C接口;间歇供电恒流源与霍尔芯片的一端连接,在需要测量的情况下,为霍尔芯片提供工作电流,霍尔芯片信号输出端通过AD转换接口与数据处理单元连接,数据处理单元与第二I2C接口连接。
2.根据权利要求1所述的高精度低功耗磁场测量电路,其特征在于:间歇供电恒流源采用TLV2211芯片。
3.根据权利要求1所述的高精度低功耗磁场测量电路,其特征在于:数据处理单元采用MSP430F2013芯片。
4.根据权利要求1所述的高精度低功耗磁场测量电路,其特征在于:单片机采用MSP430F413芯片。
5.根据权利要求1所述的高精度低功耗磁场测量电路,其特征在于:其特征在于:霍尔芯片采用HGT-2101。
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