[实用新型]无桥接射频识别高频天线

说明书

技术领域

本实用新型涉及高频天线领域，特别是涉及一种无桥接射频识别高频天线。

背景技术

射频识别（RFID）技术在物流、制造、医疗、运输、零售、国防等等方面得到了广泛的应用。目前RFID高频天线发展经历：导线捆扎 →网印蚀刻→凹凸印蚀刻→导电浆印制。目前约90%的天线为凹印蚀刻法制造，使用模切冲压实现天线的桥接，但是桥接工艺具有很多的不足之处：（1）需要通过模切冲压工序实现电路搭桥并需要检测桥接阻值，制造工艺较复杂；（2）产品可靠性不高，多次卷绕或弯折后易造成带来桥接点阻抗变大或开路的问题，由于可靠性因素，模切桥接工艺限制了不同厚度的基材和铝箔的选择范围。（3）在高温高湿环境下及温度冲击情况下易引起模切点阻抗的劣化等。

实用新型内容

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种无桥接射频识别高频天线，能够简化制造工艺，提高产品可靠性。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种无桥接射频识别高频天线，包括天线线圈、至少设有一个薄膜电容和IC等效输入电路，所述天线线圈与薄膜电容串联，天线线圈与薄膜电容串联后剩下的两端再和IC等效输入电路的引脚并联共同构成一个谐振回路。

优选的是，所述薄膜电容包括两个对位置形状均对应相同的金属膜，两个金属膜之间设有复合膜。

优选的是，所述谐振回路内设有串联的第一薄膜电容和第二薄膜电容，第一薄膜电容两端分别与天线线圈和第二薄膜电容连接，第二薄膜电容的另一端与IC等效输入电路的一个引脚连接，天线线圈的另一端和IC等效输入电路的另一个引脚连接。

优选的是，所述IC等效输入电路包括并联的电容和电阻。

优选的是，所述第一薄膜电容与第二薄膜电容串联后的输出电容值数倍大于IC等效输入电路的输出电容值。

优选的是，所述薄膜电容包括铝金属膜，聚脂材料复合膜，所述铝金属膜通过复合胶水固定在聚脂材料复合膜上。

本实用新型的有益效果是：本实用新型无桥接射频识别高频天线简化生产制造工艺，提高产品可靠性，减少生产制造设备的投入，降低生产成本，提供新的工艺。

附图说明

图1是本实用新型无桥接射频识别高频天线的一较佳实施例的电路结构示意图；

图2 是本实用新型无桥接射频识别高频天线的薄膜电容的截面结构示意图。

附图中各部件的标记如下：1、天线线圈；2、第一薄膜电容；3、第二薄膜电容；4、IC等效输入电路；5、金属膜；6、复合膜。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。

请参阅图1和图2，本实用新型实施例包括：

一种无桥接射频识别高频天线包括：天线线圈1 、第一薄膜电容2、第二薄膜电容3、IC等效输入电路4，所述天线线圈1与第一薄膜电容2、第二薄膜电容3串联，天线线圈1与第二薄膜电容3串联后剩下的两端再和IC等效输入电路4的引脚并联共同构成一个谐振回路，第一薄膜电容2和第二薄膜电容3均包括两个对位置形状均对应相同的金属膜5，两个金属膜5之间设有复合膜6，

第一薄膜电容2与第二薄膜电容3串联后的输出电容值十倍以上于大于IC等效输入电路4的输出电容值。

综上所述，第一薄膜电容2和第二薄膜电容3的金属膜均为铝膜5，复合膜6均由聚脂材料制成，铝膜5通过复合胶水固定在聚脂材料上。

本实用新型无桥接射频识别高频天线制造工艺简单，减少模切机的桥接工序；产品可靠性高，因为没有桥接点，所以不存在多次绕卷带来桥接点阻抗变大的问题；产品检测简单，不需要对线圈的直流阻值进行检测，也不需要做绕卷测试；减少设备投入，因为不需要桥接，生产中不需要模切设备，也不需要绕卷测试设备及阻抗检测仪表；降低生产成本，由于生产、测试设备的减少，工序和工时的减少，降低了生产成本；提供新工艺可能，在溅射HF天线、真空镀膜HF天线工艺中，以往很难实现天线的桥接，限制了这些工艺的使用，本设计提供了一种较好的解决途径；解决了传统模切桥接工艺对基材、铝箔厚度的限制，使得设计时对材料厚度的选择更灵活。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。