[实用新型]图像传感器及源跟随器

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

光电二极管，用于感应光强变化而生成相应的图像电荷信号；

转移晶体管，用于转移所述图像电荷信号；

源跟随晶体管，用于基于所转移的图像电荷信号生成电压信号，其中，所述源跟随晶体管是埋沟PMOS晶体管。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述源跟随晶体管包括：

P型衬底；

N型阱，其位于所述P型衬底中；

栅极，其位于所述N型阱上；

源区与漏区，其分别位于所述栅极两侧，其中所述源区位于所述N型阱中，而所述漏区至少部分地位于所述N型阱中；

P型掺杂层与N型掺杂层，其自上而下依次位于所述源区与所述漏区之间的所述栅极下方的所述N型阱中。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述源跟随晶体管的所述漏区至少部分地位于所述N型阱外。

4.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述源跟随晶体管还包括N型重掺杂区，其位于所述N型阱中以将所述N型阱从所述P型衬底中电引出。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述N型重掺杂区与所述源区电连接。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述N型重掺杂区与所述源区相邻。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述源跟随晶体管还包括金属硅化物层，其位于所述N型重掺杂区与所述源区上以电连接所述N型重掺杂区与所述源区。

8.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述源跟随晶体管的栅极耦接至所述转移晶体管的漏极，所述源跟随晶体管的漏区耦接至参考电位线，而所述源跟随晶体管的源区用于输出所述电压信号。

9.一种源跟随器，其特征在于，包括源跟随晶体管与偏置电流源，其中：所述源跟随晶体管是埋沟PMOS晶体管，其栅极用于接收输入信号；其漏区耦接至参考电位线；其源区耦接至偏置电流源以获取偏置电流，并用于输出电压信号。

10.根据权利要求9所述的源跟随器，其特征在于，所述源跟随晶体管包括：

P型衬底；

N型阱，其位于所述P型衬底中；

栅极，其位于所述N型阱上；

源区与漏区，其分别位于所述栅极两侧，其中所述源区位于所述N型阱中，而所述漏区至少部分地位于所述N型阱中；

P型掺杂层与N型掺杂层，其自上而下依次位于所述源区与所述漏区之间的所述栅极下方的所述N型阱中。

11.根据权利要求10所述的源跟随器，其特征在于，所述源跟随晶体管的所述漏区至少部分地位于所述N型阱外。

12.根据权利要求10所述的源跟随器，其特征在于，所述源跟随晶体管还包括N型重掺杂区，其位于所述N型阱中以将所述N型阱从所述P型衬底中电引出。

13.根据权利要求12所述的源跟随器，其特征在于，所述N型重掺杂区与所述源区电连接。

14.根据权利要求13所述的源跟随器，其特征在于，所述N型重掺杂区与所述源区相邻。

15.根据权利要求14所述的源跟随器，其特征在于，所述源跟随晶体管还包括金属硅化物层，其位于所述N型重掺杂区与所述源区上以电连接所述N型重掺杂区与所述源区。