[实用新型]OTP存储数据的写入与读取电路

权利要求书

1.一种OTP存储数据的写入与读取电路，其特征在于，所述OTP存储数据的写入与读取电路包括第一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、十一场效应管以及第一、二、三、四非门；

所述第五场效应管源极接VDD，栅极与第七、第九场效应管栅极连接后再接Read_en信号，漏极与第六场效应管源极连接，第六场效应管漏极与第十一场效应管栅极、第七、第八场效应管漏极连接成一节点，第七、第八效应管源极连接后接地，第六场效应管栅极与第八场效应管栅极、第十一场效应管源极、第二、第三、第九场效应管漏极连接后再接OTP单元数据的输入输出端，第九场效应管源极接地，第十一场效应管漏极与第十场效应管漏极、第三非门输入端连接，第十场效应管源极接VDD，第十场效应管栅极接地，第三非门输出端与第四非门输入端连接，第四非门输出端为读取时数据读出端(Data_out)，第二场效应管源极与第一场效应管漏极连接，第二场效应管栅极与第一非门输出端连接，第一场效应管源极接VDD，第一场效应管栅极与第四场效应管栅极、第二非门输出端连接，第二非门输入端为烧写时数据写入端(Data_in)，第三场效应管源极与第四场效应管漏极连接，第三场效应管栅极与第一非门输入端连接后再接Prog_en信号，第四场效应管源极接地。

2.根据权利要求1所述OTP存储数据的写入与读取电路，其特征在于，所述第一、二、五、六、十场效应管为PMOS管，第三、四、七、八、九以及十一场效应管均为NMOS管。