[实用新型]半导体光源和发光装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及光学技术领域，特别是涉及半导体光源和发光装置。

背景技术

目前，半导体光源以其长寿命和绿色环保等特点越来越受到人们的重视。半导体光源分为发光二极管(LED，light emitting diode)和激光二极管(LD，laser diode)两种，其中发光二极管具有成本低的优点，但是其缺点在于能量密度太低，不适用于高端投影显示、高亮度投射灯等对能量密度要求较高的场合；而激光二极管的特性与之相反，由于发光芯片的尺寸很小，同时发光的角度很窄，因此激光二极管具有能量密度很高的优点，但是激光二极管制作工艺复杂，因此成本很高。

目前对于要求高能量密度的场合，激光二极管作为光源仍然是主流。然而，在实际中仍然需要一种低成本高亮度的半导体光源。

实用新型内容

本实用新型解决的主要技术问题是半导体光源高亮度与低成本之间的矛盾。

本实用新型提出一种半导体光源，包括第一激光二极管组，该第一激光二极管组包括至少一颗激光二极管；还包括发光二极管组，该发光二极管组包括至少一颗发光二极管；该发光二极管组的归一化发光光谱与第一激光二极管组的归一化发光光谱存在交叠；还包括合光装置，第一激光二极管组和发光二极管组发出的光分别入射于该合光装置相对的两个面。

在本实用新型的半导体光源中，发光二极管发出的光入射到合光装置后分为第一光和第二光两部分；第一激光二极管组发出的光透射合光装置，发光二极管组发出的第一光被合光装置反射后与第一激光二极管组发出的光合为该半导体光源的出射光束，发光二极管组发出的第二光透射合光装置；

或第一激光二极管组发出的光被合光装置反射，发光二极管组发出的第一光透射合光装置并与第一激光二极管组发出的光合为该半导体光源的出射光束，发光二极管组发出的第二光被合光装置反射；

第一光与第二光的能量比大于等于0.5且小于等于4。

本实用新型还提出一种发光装置，包括用于产生激发光的激发光源，该激发光源包括上述的半导体光源；还包括波长转换层，用于吸收激发光并发射受激光。

在本实用新型的半导体光源和发光装置中，利用激光二极管和发光二极管的混合使用，达到降低成本同时保持亮度的目的。

附图说明

图1a和1b是本实用新型第一实施例的两种可能结构的示意图；

图2a是第一激光二极管组和发光二极管组的归一化发光光谱和合光装置的透过谱；

图2b是第一激光二极管组和发光二极管组在合光装置后的光谱；

图3是本实用新型的第二实施例的示意图；

图4是本实用新型的第三实施例的示意图；

图5是本实用新型的第四实施例的示意图；

图6是本实用新型的第五实施例的示意图；

图7是本实用新型的第六实施例的示意图。

具体实施方式

本实用新型利用激光二极管和发光二极管的混合使用，达到降低成本同时保持亮度的目的。

本实用新型的第一实施例的结构如图1a所示。其中，半导体光源100a包括第一激光二极管组101a，该第一激光二极管组101a包括至少一颗激光二极管。半导体光源100a还包括发光二极管组102a，该发光二极管组102a包括至少一颗发光二极管。

在图1a中，第一激光二极管组101a仅为抽象的画出，未显示其细节。实际上，它可能是一个由多颗激光二极管组成的激光二极管阵列，该多颗激光二极管发出的光合为一束成为光束111a。同样的，发光二极管组102a也可能是一个由多颗发光二极管组成的发光二极管阵列。这是现有技术，此处不赘述。

为了保证该半导体光源发光的单色性，该发光二极管组102a的归一化发光光谱与第一激光二极管组101a的归一化发光光谱存在交叠，如图2a所示。在本实施例中，发光二极管组102a发射蓝光114a，其光谱如图2a中的202所示；第一激光二极管组101a发射蓝光激光111a，其光谱如图2a中的201所示。此处的蓝光只是举例，并不限制其它颜色光的使用，例如发光二极管组可以发射红光，同时第一激光二极管组可以发射红光激光。