[实用新型]一种Hiccup模式短路保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及开关电源技术领域，尤其涉及一种Hiccup模式短路保护电路。 

背景技术

打嗝(Hiccup)模式是在开关电源电路中为了保护电路短路的一种工作模式，图1为Hiccup模式短路保护电路的原理示意图，该电路包括短路检测电路11、过流检测电路12和Hiccup信号控制电路13和Hiccup信号产生电路14，短路检测电路11和过流检测电路12的输出信号同时送入与Hiccup信号控制电路13，Hiccup信号控制电路13的输出信号送入Hiccup信号产生电路14，其中，Hiccup信号控制电路13通常通过与非门实现。Hiccup模式短路保护电路的原理为：当短路检测电路11检测到电路存在输出短路(一般判定为输出反馈电压FB小于某个阈值)，同时，过流检测电路12检测到电路存在负载过流时，Hiccup信号控制电路13控制Hiccup产生电路14产生一个低频Hiccup信号，然后通过组合逻辑控制开关功率MOS管，使电感电流处于间歇性脉冲的工作状态，以避免持续大电流造成的损害。 

现有的Hiccup模式短路保护电路电路中，短路检测电路11一般采用电压比较器采样短路状态并产生逻辑判定信号，过流检测电路12一般使用电流传感比较器采样输出负载过流状态并产生逻辑判定信号，前者需要独立比较器电路，通常采用运算放大器实现，后者通常用内置的小电阻采样外部负载电流产生压差并放大处理，然后用一个内置基准电压与之比较。 

由此可见，现有的电路总共需要两个电压比较器电路和一个电压传感放大电路，而这些电路一般又用运算放大器实现，需要消耗一定的电流功耗并占用一定的芯片面积。 

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种Hiccup模式短路保护电路，用以解决现有的电路功耗较大同时占用的芯片面积较大的问题。 

一种Hiccup模式短路保护电路，包括过流检测电路、短路检测电路、Hiccup信号控制电路和Hiccup信号产生电路，所述短路检测电路复用开关电源电路中的内部运放，所述内部运放的输入端与所述开关电源电路的输出端连接。 

所述短路检测电路包括：电流采样电路和短路电压信号产生电路。所述电流采样电路，连接于所述内部运放内，用于当所述内部运放输入端的反馈电压小于第一阈值电压时采样一个小电流；所述短路电压信号产生电路与所述电流采样电路连接，用于通过所述小电流产生短路电压信号。 

所述过流检测电路包括：负载检测电路和过流检测电流信号产生电路。所述负载检测电路，用于产生随负载变化而变化的负载检测信号，可以为随负载增大而增大的负载检测信号，并将所述负载检测信号输入至所述过流检测电流信号产生电路；所述过流检测电流信号产生电路，用于当负载检测信号大于第二阈值电压时输出过流电流信号。 

所述Hiccup信号控制电路，用于接收所述短路电压信号和过流电流信号，并通过所述短路电压信号和所述过流电流信号控制所述Hiccup信号产生电路产生低频Hiccup信号。 

所述电流采样电路为第一MOS管，所述第一MOS管与所述内部运放中与反馈信号端连接的MOS管同栅同源，所述第一MOS管的漏极连接所述短路电压信号产生电路。 

所述短路电压信号产生电路为第二MOS管，所述第二MOS管的漏极连接所述Hiccup信号控制电路以及所述电流采样电路，所述第二MOS管的栅极与漏极连接，当所述第一MOS管为PMOS管、所述第二MOS管为NMOS管时，所述第二MOS管的源极接地，当所述第一MOS管为NMOS管、所 述第二MOS管为PMOS管时,所述第二MOS管的源极接电源。 

所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极连接。 

优选地，所述负载检测电路复用所述开关电源电路中的误差放大器，所述负载检测电路输出的负载检测信号为所述误差放大器的输出信号COMP。 

所述过流检测电流信号产生电路包括第三MOS管、第四MOS管和第五MOS管；所述第三MOS管的栅压固定，所述负载检测电路输出端与所述第三MOS管的源极连接；所述第三MOS管的漏极与所述第四MOS管的漏极连接；所述第四MOS管的漏极与栅极连接，所述第四MOS管的栅极与第五MOS管的栅极连接，当所述第三MOS管为PMOS管、第四MOS管和第五MOS管为NMOS管时，所述第四MOS管的源极和第五MOS管的源极接地，当所述第三MOS管为NMOS管、第四MOS管和第五MOS管为PMOS管时，所述第四MOS管的源极和第五MOS管的源极接电源；所述第五MOS管的漏极与所述Hiccup信号控制电路连接。