[实用新型]一种用于高压变频器的功率单元的保护旁路

权利要求书

1.一种用于高压变频器的功率单元的保护旁路，所述功率单元包括三相整流桥、接在该三相整流桥的两输出端的滤波电容以及连接该滤波电容两端的逆变桥，其特征在于，所述保护旁路接在所述逆变桥的两输出端之间，且该保护旁路包括第七至第十整流二极管和一可控硅，其中：

第七整流二极管和第八整流二极管同向串联形成的支路、第九整流二极管和第十整流二极管同向串联形成的支路以及所述可控硅相互并联；第七整流二极管和第八整流二极管的相接端连接所述逆变桥的一输出端，第九整流二极管和第十整流二极管的相接端连接所述逆变桥的另一输出端；

所述可控硅的阳极连接第七整流二极管的负极和第九整流二极管的负极；所述可控硅的阴极连接第八整流二极管的正极和第十整流二极管的正极。

2.根据权利要求1所述的用于高压变频器的功率单元的保护旁路，其特征在于，所述逆变桥包括第一至第四IGBT、第一吸收电容和第二吸收电容，其中：

第一IGBT和第二IGBT串联形成的支路、第一吸收电容、第三IGBT和第四IGBT串联形成的支路和第二吸收电容依次并联；第一IGBT和第二IGBT的相接端作为所述逆变桥的一输出端，第三IGBT和第四IGBT的相接端作为所述逆变桥的另一输出端。

3.根据权利要求2所述的用于高压变频器的功率单元的保护旁路，其特征在于，所述可控硅的控制极连接所述逆变桥。

4.根据权利要求1所述的用于高压变频器的功率单元的保护旁路，其特征在于，所述三相整流桥接入电网三相电压。