[实用新型]一种具有电极结构的厚膜电路板有效
申请号: | 201220029111.1 | 申请日: | 2012-01-18 |
公开(公告)号: | CN202758889U | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 白云峰 | 申请(专利权)人: | 东莞市简创电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 523000 广东省东莞市万江区金泰社*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 电极 结构 电路板 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种具有电极结构的厚膜电路板。
背景技术
随着科学技术的发展,厚膜电路技术及产品已经广泛应用于通讯、家电、医疗和汽车电子领域。传统的厚膜电路电极结构通常采用银钯、银铂或金等贵金属组成,众所周知,由于贵金属材料的稀缺性,导致贵金属价格昂贵,由贵金属材料构成的传统厚膜电路产品其价格也一直居高不下,在当前贵金属价格持续走高的今天,常规厚膜电路成本也成为当前生产制造企业所必须关注头等大事。成本因素日益成为厚膜电路产品最关键的竟争力因素。一般而言,在厚膜电路的材料成本构成中,贵金属贱金属电极成本一般占到厚膜电路总成本的40%-60%或以上,在部分产品中譬如油位传感器、电子点火模块中,其所占比例更是达到60%-80%左右。随着贵金属原材料价格的持续走高,厚膜电路的成本也是水涨船高,价格也迅速高涨,影响了产品竞争力,进而影响了厚膜电路技术的大规模推广应用。
此外,由于银/钯或银/铂等系列贱金属电极浆料的抗焊料润融性较差,一些厚膜电路产品的耐焊接能力差,尤其是大电流锡焊时,产品贱金属电极较容易被焊锡共晶熔融,俗语所谓“吃掉”。在一些领域如汽车电子调节器使用时,由于多次焊接,由银钯构成的焊盘耐焊性差,成为业内技术难点之一。
另一方面,贱金属电极如铜等材料,在高温下甚至常温下也比较容易出现氧化,为解决氧化问题,本实用新型的发明人注意到,一种具有自组装分子膜保护结构的防氧化处理技术具有较好的抗氧化保护效果,因此,在本实用新型中,采用了自组装分子膜保护作为处理氧化问题的技术手段。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,提供一种低成本且可靠性高的具有电极结构的厚膜电路板。
为解决上述技术问题,本实用新型采取的技术方案为:包括有陶瓷基板,在陶瓷基板上制备有贱金属电极,在贱金属电极上设置保护层,在贱金属电极和保护层上设置保护膜;还可以在贱金属电极和保护层之间设置电阻体,所述电阻体的横截面上具有至少一个切口。
进一步的,所述贱金属电极的电极结构的一部分由至少一种贱金属材料构成。
进一步的,所述贱金属电极(b)是以厚膜丝印、光刻、真空溅射方式形成。
进一步的,所述保护膜是具有分子膜结构的保护膜,主要由烷基硫醇一类分子膜构成。
进一步的,所述陶瓷基板的背面设置背电极或标记。
本实用新型中,采用了贱金属电极结构,即可以有效降低成本,同时,贱金属还可以应用于特殊场合,用以增加或强化厚膜电路的一些功能或可靠性。所述保护膜采用了一种由烷基硫醇等构成自组装分子膜结构,自组装分子膜具有不影响厚膜外观和电气性能等特点,主要用以解决贱金属电极的氧化问题和表面保护问题。
附图说明:
图1为本实用新型的具有电极结构的厚膜电路板的示意图。
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做进一步说明。
具体实施方式
实施例1
参见图1,本实用新型的具有电极结构的厚膜电路板,包括陶瓷基板1,在陶瓷基板1上制备有贱金属电极2,在贱金属电极2上设置保护层4,在贱金属电极2和保护层4上设置保护膜5,由此构成了本实用新型的主体特征。当然,为追求不同的产品应用,还可以在贱金属电极2和保护层4之间设置电阻体3,所述电阻体3的横截面上具有至少一个切口6。还可以在陶瓷基板1的背面设置背电极或标记。
其中,所述贱金属电极2是以厚膜丝印、光刻、真空溅射方式形成。所述保护膜5是一种自组装分子膜结构,主要由烷基硫醇等构成。所述贱金属电极2由至少一种或以上贱金属材料组成,或者,所述贱金属电极2的电极结构的一部分由至少一种贱金属材料构成。
本实用新型中,采用了贱金属电极结构,既可以有效降低成本,同时,贱金属还可以应用于特殊场合,用以增加或强化厚膜电路的一些功能或可靠性。所述保护膜采用了一种由烷基硫醇等构成自组装分子膜结构,自组装分子膜为全透明厚度只有一个分子厚度,肉眼不可见等特点。该分子膜具有不影响厚膜外观和电气性能等优点,主要用以解决贱金属电极的氧化问题和表面保护问题。
以上对本实用新型所提供的具有扰性结构的具有电极结构的厚膜电路板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本实用新型的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的