[实用新型]一种抗静电高精度低漂移双运算放大器有效
申请号: | 201220030544.9 | 申请日: | 2012-01-31 |
公开(公告)号: | CN202663361U | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 沈文娟;李翔;赵伟红 | 申请(专利权)人: | 陕西航晶微电子有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F1/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710054 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抗静电 高精度 漂移 运算放大器 | ||
1.一种抗静电高精度低漂移双运算放大器,其特征在于,包括外壳,外壳内部封装有基片,基片上设置有混合电路。
2.根据权利要求1所述的一种抗静电高精度低漂移双运算放大器,其特征在于,所述混合电路包括采用厚膜混合集成方式组成的芯片、8个保护二极管、4个保护电阻和2个内部调零电阻。
3.根据权利要求2所述的一种抗静电高精度低漂移双运算放大器,其特征在于,第一保护电阻和第二保护电阻串联于输入端,第一保护二极管和第二保护二极管连接供电电源,第三保护二极管和第四保护二极管连接负电源输入端,第一内部调零电阻和第二内部调零电阻连接正电源。
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