[实用新型]晶圆背面保护结构有效
申请号: | 201220034356.3 | 申请日: | 2012-02-03 |
公开(公告)号: | CN202549818U | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 卢旋瑜 | 申请(专利权)人: | 讯忆科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/28 | 分类号: | H01L23/28;H01L23/544 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背面 保护 结构 | ||
1.一种晶圆背面保护结构,其特征在于,该晶圆包含一布设有多个接点的第一表面及一该第一表面的相反面且为裸露硅晶的第二表面;
该晶圆背面保护结构是在该晶圆的第二表面上设置一层与该晶圆的第二表面的尺寸相同的保护层;
其中该保护层是以不透光绝缘材料作成的均匀且平坦的不透光且绝缘的保护层,以附着于为裸露硅晶的第二表面上。
2.如权利要求1所述的晶圆背面保护结构,其特征在于,该晶圆为晶圆级封装后的晶圆。
3.如权利要求1所述的晶圆背面保护结构,其特征在于,该多个接点是以各种不同的阵列方式或次阵列方式布设在该第一表面上。
4.如权利要求3所述的晶圆背面保护结构,其特征在于,当该晶圆被切割成多个次阵列晶片组或多个单一晶片时,该保护层保留设在各个次阵列晶片组或各个单一晶片的第二表面上。
5.如权利要求1所述的晶圆背面保护结构,其特征在于,该第二表面为一电路布局层,多个接点依不同的电路布局设于该第二表面上。
6.如权利要求1所述的晶圆背面保护结构,其特征在于,该保护层为液状黑色漆料材质,待固化后附着于为裸露硅晶的第二表面上。
7.如权利要求6所述的晶圆背面保护结构,其特征在于,该保护层为液状黑色漆料材质并以涂布方式均匀且平坦设于该晶圆的第二表面上。
8.如权利要求6所述的晶圆背面保护结构,其特征在于,该保护层为液状黑色漆料材质并以印刷方式均匀且平坦设于该晶圆的第二表面上。
9.如权利要求1所述的晶圆背面保护结构,其特征在于,该保护层的表面上进一步设有至少一辨识标记。
10.如权利要求1所述的晶圆背面保护结构,其特征在于,该辨识标记为利用镭射加工方式在该保护层的表面上烧结形成。
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