[实用新型]制备铸造单晶硅的装置

权利要求书

1.一种制备铸造单晶硅的装置，包括炉体、安装在所述炉体中的隔热组件、放置在所述隔热组件内的坩埚及加热器，其特征在于，所述制备铸造单晶硅的装置还包括引晶组件及气体导流筒，所述气体导流筒的一端穿插于所述隔热组件，所述气体导流筒的另一端延伸至所述炉体外，所述引晶组件包括用于夹持籽晶的夹持头及用于驱动所述夹持头的驱动件，所述夹持头位于所述坩埚的上方。

2.根据权利要求1所述的制备铸造单晶硅的装置，其特征在于，所述引晶组件还包括连杆，所述驱动件安装在所述隔热组件或所述炉体上，所述连杆连接所述夹持头及所述驱动件。

3.根据权利要求1所述的制备铸造单晶硅的装置，其特征在于，所述制备铸造单晶硅的装置还包括提升组件及悬挂组件，所述隔热组件包括环绕所述坩埚四周的侧隔热笼、分别设置于所述侧隔热笼两端的下隔热板及顶隔热板，所述下隔热板与所述炉体固接，所述顶隔热板通过所述悬挂组件固定至所述炉体，所述侧隔热笼通过所述提升组件连接至所述炉体，所述提升组件驱动所述侧隔热板朝远离所述下隔热板的方向运动，使所述侧隔热笼与所述下隔热板之间形成散热通道。

4.根据权利要求1所述的制备铸造单晶硅的装置，其特征在于，所述制备铸造单晶硅的装置还包括用于监测所述坩埚内的单晶硅的生长状况的监测器。

5.根据权利要求4所述的制备铸造单晶硅的装置，其特征在于，所述监测器为红外高温计或摄像机。

6.根据权利要求1所述的制备铸造单晶硅的装置，其特征在于，所述加热器有顶加热器、侧加热器或底部加热器，各部分独立控温。