[实用新型]一种掩膜版、曝光装置及系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及等离子显示屏PDP制作领域，尤其涉及一种掩膜版、曝光装置及系统。

背景技术

光刻法是一种精细结构图形制作方法，广泛运用于等离子显示屏制作领域。等离子显示屏BUS电极的光刻工艺具体如下：(1)在清洗后的玻璃基板上涂覆一层感光性PR胶；(2)将基板投入干燥炉进行干燥；(3)利用掩膜版进行选择性曝光；(4)用显影液除去未感光改性的PR胶；(5)用刻蚀液除去没有PR胶附着的电极材料；(6)用剥膜液去除附着的PR胶。

其中，曝光是光刻工业中重要的组成部分，曝光用的掩膜版通常是铬版，主要由基板和不透光材料组成。基板通常是高纯度、低反射率、低热膨胀系数的石英玻璃，铬版的不透光层是通过喷溅的方法在玻璃下方镀一层铬，再经过一系列的加工形成图形。掩膜版的作用是控制光线进行选择性曝光，需要留下的进行曝光，不需要留下的进行遮光。玻璃基板上涂有感光材料，当曝光时，紫外线通过掩膜版对玻璃基板上的感光材料进行选择性曝光，再通过光刻工艺将所需要的图像转移到玻璃基板上。为了避免掩膜版被划伤或者被玻璃基板上的感光材料污染，通常采用非接触式曝光，即掩膜版与玻璃基板之间有一定间隙，一般为几百微米。

在采用非接触式曝光时，需要进行间隙Gap计测，还需要进行对准Alignment计测。Gap计测，即利用间隙传感器Gap sensor测量掩膜版与玻璃基板之间的距离；Alignment计测，即利用摄像机Camera使掩膜版上的标识Mark中心与玻璃基板上的Mark中心精确对位。计测过程如下：如图1所示，Camera 12与Gap sensor 11连接在一起，二者只能整体移动，首先，Gap sensor11移动至正对间隙窗口Gap Window13的位置，进行Gap计测，Gap计测完成后，如图2所示，Camera 12移动至掩膜版的对位Mark 14附近，进行Alignment计测。上述计测模式中，由于Gap计测和Alignment计测是先后进行的，因此，这种计测模式耗费的时间较长。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种掩膜版、曝光装置及系统，用以解决Gap计测和Alignment计测先后计测耗时长的问题。其技术方案如下：

一种掩膜版，所述掩膜版上设置有对位标识Mark和间隙窗Gap Window，所述掩膜版上Gap Window与对位Mark之间的相对位置与Camera与Gap sensor之间的相对位置一致。

一种曝光装置，包括上述的掩膜版和曝光计测装置，所述曝光计测装置包括Camera和Gap sensor。

一种曝光系统，包括上述的曝光装置，还包括曝光机，所述曝光机的操作界面中包括Gap和Alignment同时计测模式。

本实用新型提供的掩膜版、曝光装置及系统中，由于掩膜版上Gap Window与对位Mark之间的相对位置与Camera与Gap sensor之间的相对位置一致，因此当进行曝光计测时，Gap计测和Alignment计测同时进行，这样节省了曝光计测的时间。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的Gap计测示意图；

图2为现有技术中的Alignment计测示意图；

图3为本实用新型实施例提供的Gap和Alignment同时计测示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型实施例提供了一种掩膜版，该掩膜版上设置有对位标识Mark和间隙窗Gap Window，其中对位Mark的位置不可随意更改，而Gap Window的位置相对灵活，可更改。本实用新型提供的掩膜版上的对位标识Mark和间隙窗Gap Window之间的相对位置与Camera和Gap sensor之间的相对位置一致。