[实用新型]一种适用于制备高亮度LED的蓝宝石图形衬底的光刻版

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种适用于制备高亮度LED的蓝宝石图形衬底的光刻版，属于半导体发光二极管的技术领域。

背景技术

蓝宝石衬底是目前制备发光二极管(LED)的主流衬底。但是由于蓝宝石衬底和GaN之间存在较大的晶格失配和热膨胀系数失配，生长的GaN外延层质量存在很高的位错密度。而图形衬底技术是在蓝宝石衬底上作出细微的图形结构，然后生长外延GaN。采用图形衬底可使得GaN生长由纵向外延变为横向外延，能够显著降低外延GaN的位错密度；同时特殊的图形结构能改变有源区发出光的传播路线，增加出光机会，提高光提取效率。光刻版是制备图形衬底的关键组件，能够将其上面的图形通过光刻转移到蓝宝石衬底上，从而制备出图形衬底。现有图形衬底的光刻版其结构一般是圆形不透光图形等距排列。但是采用这种光刻版制备的蓝宝石图形衬底在进行GaN外延生长时，GaN晶体相互连接时由于晶面不连续，容易形成位错。

发明内容

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种适用于制备高亮度LED的蓝宝石图形衬底的光刻版。

本实用新型的技术方案如下：

一种适用于制备高亮度LED的蓝宝石图形衬底的光刻版，包括透光区域和不透光区域，所述的不透光区域呈正方形，且在透光区域内呈多行排列：同行之间，正方形不透光区域等距排列；相邻行之间，正方形不透光区域呈错位等距排列。

所述正方形不透光区域的边长范围为1-10μm；同行之间，正方形不透光区域等距排列，等距距离范围为1-10μm；相邻行之间，正方形不透光区域呈错位等距排列，错位等距距离范围为1-10μm。

优选的，正方形不透光区域的边长、正方形不透光区域等距排列的等距距离和正方形不透光区域呈错位等距排列的错位等距距离相同。

优选的，所述正方形不透光区域的边长为4μm；同行之间，正方形不透光区域等距排列，等距距离为4μm；相邻行之间，正方形不透光区域呈错位等距排列，错位等距距离为4μm。

优选的，所述正方形不透光区域的边长为：6μm；同行之间，正方形不透光区域等距排列，等距距离为6μm；相邻行之间，正方形不透光区域呈错位等距排列，错位等距距离为6μm。

本实用新型的优点在于：

应用本实用新型的光刻版所制备的蓝宝石图形衬底，在进行GaN外延生长时，能够降低GaN晶体相互连接时由于晶面不连续形成的位错，提高外延GaN晶体的质量，进而制备出高亮度的LED。

附图说明

图1现有图形衬底的光刻版；

图2是本实用新型所述图形衬底的光刻版；

其中，1.透光区域；2-1.不透光区域(圆形)；2-2.不透光区域(正方形)；s1为现有的同行且相邻圆形不透光区域之间的距离；s2为本实用新型的同行正方形不透光区域等距排列的等距距离；s3为本实用新型的相邻行之间，正方形不透光区域呈错位等距排列的错位等距距离。

具体实施方式

下面结合实施例和说明书附图对本实用新型做详细的说明，但不限于此。

实施例1、

如图2所示，一种适用于制备高亮度LED的蓝宝石图形衬底的光刻版，包括透光区域1和不透光区域2-2，所述的不透光区域2-2呈正方形，且在透光区域1内呈多行排列，所述正方形不透光区域2-2的边长为4μm；同行之间，正方形不透光区域等距排列，等距距离s2为4μm；相邻行之间，正方形不透光区域呈错位等距排列，错位等距距离s3为4μm。

实施例2、

如实施例1所述的一种适用于制备高亮度LED的蓝宝石图形衬底的光刻版，不同之处在于：

所述正方形不透光区域2-2的边长为6μm；同行之间，正方形不透光区域等距排列，等距距离s2为6μm；相邻行之间，正方形不透光区域呈错位等距排列，错位等距距离s3为6μm。

相比于现有图形衬底的光刻版上不透明区域2-1所排列出的结构，如图1所示，应用实施例1和实施例2所述的光刻版所制备的蓝宝石图形衬底在进行GaN外延生长时，能够大大提高外延GaN晶体的质量，制备出高亮度的LED。