[实用新型]窄带本振频率合成器有效
| 申请号： | 201220041702.0 | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN202424689U | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 郝温利;王煜川 | 申请（专利权）人： | 成都中亚通茂电子有限公司 |
| 主分类号： | H03L7/18 | 分类号： | H03L7/18 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 窄带 频率 合成器 | ||
1.窄带本振频率合成器，其特征在于：主要由设置在金属腔体内部且依次连接的一级PLL电路、数字频率直接合成器DDS、二级PLL电路构成。
2.根据权利要求1所述的窄带本振频率合成器，其特征在于：还包括设置在一级PLL电路与二级PLL电路之间的混频电路，所述混频电路连接有可编程逻辑器件CPLD，且一级PLL电路、二级PLL电路均与可编程逻辑器件CPLD连接。
3.根据权利要求2所述的窄带本振频率合成器，其特征在于：一级PLL电路还连接有SMA插座（2）。
4.根据权利要求2所述的窄带本振频率合成器，其特征在于：还包括9001欧式插座（4），所述9001欧式插座（4）分别与二级PLL电路、可编程逻辑器件CPLD、数字频率直接合成器DDS 连接。
5.根据权利要求4所述的窄带本振频率合成器，其特征在于：9001欧式插座（4）还连接有电源模块。
6.根据权利要求2所述的窄带本振频率合成器，其特征在于：数字频率直接合成器DDS 连接有BMA插座（5）。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的窄带本振频率合成器，其特征在于：所述一级PLL电路和二级PLL电路均由依次连接的鉴相器PD、低通滤波器LP、压控振荡器VCXO构成，且一级PLL电路的压控振荡器VCXO与一级PLL电路的鉴相器PD连接，同时一级PLL电路的压控振荡器VCXO与数字频率直接合成器DDS连接，所述二级PLL电路的鉴相器PD与数字频率直接合成器DDS连接的同时还与二级PLL电路的压控振荡器VCXO连接。
8.根据权利要求7所述的窄带本振频率合成器，其特征在于：所述一级PLL电路的压控振荡器VCXO的锁定参数为160MHz，所述二级PLL电路的压控振荡器VCXO的锁定参数为40.455MHz~70.455MHz。
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